申请/专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司

申请日：2021-11-23

公开（公告）日：2023-12-08

公开（公告）号：CN114068726B

主分类号：H01L29/788

分类号：H01L29/788;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.08#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2022.02.18#公开

摘要：本发明提供了一种PIP电容器，包括：衬底；栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述浮栅层、所述栅间介质层和所述控制栅层构成栅间介质层电容，所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述衬底构成隧穿氧化层电容；耗尽层，在工作状态下形成于所述隧穿氧化层下方的衬底顶部，所述浮栅层、所述隧穿氧化层、所述耗尽层和所述衬底构成耗尽层电容，所述耗尽层电容与所述隧穿氧化层电容串联之后与所述栅间介质层电容并联。本发明的技术方案使得PIP电容器具有高容值效率的同时，还能具有高击穿电压。

主权项：1.一种PIP电容器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有体区；栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述浮栅层、所述栅间介质层和所述控制栅层构成栅间介质层电容，所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述衬底构成隧穿氧化层电容；耗尽层，在工作状态下形成于所述隧穿氧化层下方的体区中，所述浮栅层、所述隧穿氧化层、所述耗尽层和所述衬底构成耗尽层电容，所述耗尽层电容与所述隧穿氧化层电容串联之后与所述栅间介质层电容并联；所述栅极结构两侧的体区顶部形成有体接触区，所述体接触区的衬底上形成有第一导电插塞，所述浮栅层和所述控制栅层上分别形成有第二导电插塞和第三导电插塞。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉新芯集成电路制造有限公司 PIP电容器

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