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【发明公布】一种低频段电磁波吸收PPy@TaS2复合材料的制备方法_齐齐哈尔大学_202311205904.3 

申请/专利权人:齐齐哈尔大学

申请日:2023-09-19

公开(公告)日:2023-12-12

公开(公告)号:CN117210000A

主分类号:C08L79/04

分类号:C08L79/04;H05K9/00;H01Q17/00;C08K3/30

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.12.29#实质审查的生效;2023.12.12#公开

摘要:一种低频段电磁波吸收PPy@TaS2复合材料的制备方法,它涉及电磁波吸收复合材料的制备方法,它是要解决现有的电磁波吸收的低频段电磁波吸材料的吸收频带窄、耐腐蚀性差的技术问题,本方法:一、利用五氯化钽与硫代乙酰胺研磨混合均匀后煅烧,得到TaS2纳米片;二、将吡咯单体加入到TaS2纳米片分散液中,再滴加过硫酸铵溶液搅拌反应,得到产物混合液离心分离、洗涤、干燥,得到PPy@TaS2复合材料。在2~18GHz范围内,在5.5mm厚度下,材料的最小反射损耗值在4.4GHz时达到‑48.46dB,在5mm厚度下,材料的反射损耗值在4.96GHz时达到‑36.77dB。可用于低频段电磁吸收领域。

主权项:1.一种低频段电磁波吸收PPy@TaS2复合材料的制备方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、按五氯化钽与硫代乙酰胺质量比为1:2~2.5,将五氯化钽与硫代乙酰胺在干燥密封的手套箱中研磨混合均匀后,加入到坩埚中盖好;再将坩埚放入管式炉内,在氩气环境下,以10~15℃min升温至1000~1100℃煅烧12~15h,降温后用研钵研磨成黑色粉末,得到TaS2纳米片;二、按TaS2纳米片与吡咯单体的质量比为2.5~3.5:1称取TaS2纳米片与吡咯单体;先按TaS2纳米片的质量浓度为5~7mgmL将TaS2纳米片加入到超纯水中,超声分散均匀,得到TaS2纳米片分散液;然后在搅拌条件下将吡咯单体加入到TaS2纳米片分散液中,搅拌1.5~2h后,再将过硫酸铵溶液连续滴加到TaS2纳米片分散液中,搅拌1.5~2h,得到产物混合液;三、将产物混合液离心分离,然后依次用超纯水和无水乙醇洗涤干净,干燥,得到低频段电磁波吸收PPy@TaS2复合材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 齐齐哈尔大学 一种低频段电磁波吸收PPy@TaS2复合材料的制备方法

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