申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2023-12-22

公开（公告）号：CN117276028A

主分类号：H01J1/34

分类号：H01J1/34;H01J9/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本发明公开了一种n‑InGaAsp‑InPp‑InGaAs场助光阴极及其制备方法，在p‑InP衬底上顺序生长p‑In0.53Ga0.47As吸收层、p‑InP发射层和n‑In0.53Ga0.47As接触层，而后在阴极表面沉积Si3N4绝缘层，镀电极后刻蚀发射面，最后进行激活。该阴极采用n‑InGaAsp‑InP的PN异质结，PN结光电阴极允许提高热处理温度，使表面清洁度提高，而且可以使用Ti‑Pt‑Au金属电极当掩膜层，使用磷酸系或硫酸系溶液进行选择性湿法刻蚀，从而将n‑In0.53Ga0.47As接触层刻掉并暴露出p‑InP发射层，精确控制刻蚀发射层深度，简化了场助光电阴极的工艺制备。

主权项：1.一种n-InGaAsp-InPp-InGaAs场助光阴极，其特征在于，包括p-InP衬底，以及p-InP衬底上顺序生长的p-In0.53Ga0.47As吸收层、p-InP发射层和n-In0.53Ga0.47As接触层，在n-In0.53Ga0.47As接触层表面沉积Si3N4绝缘层；在阴极样品上依次沉积Ti-Pt-Au薄膜，然后进行选择性湿法刻蚀；对发射面进行CsO激活实验，以获得n-InGaAsp-InPp-InGaAs场助光阴极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种n-InGaAs/p-InP/p-InGaAs场助光阴极及其制备方法

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