申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-08-23

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117317007A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本发明提供一种具有阶梯状CSL层的SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：多层CSL层；多层所述CSL层位于P‑well层下方；多层所述CSL层的宽度在远离P‑well层的方向上递减。本发明将现有技术中的单层CSL层加以改进，采用了多层CSL层组成阶梯状的CSL层的结构，能够限制P+屏蔽层与N‑drift层的耗尽区的扩展，从而增大了电子的导通路径，进而改善了SiCUMOS的导电能力，降低了寄生电阻，提高了SiCUMOS的电流密度。

主权项：1.一种具有阶梯状CSL层的SiCUMOS，其特征在于，包括：多层CSL层；多层所述CSL层位于P-well层下方；多层所述CSL层的宽度在远离P-well层的方向上递减。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种具有阶梯状CSL层的SiC UMOS及制备方法

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