申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-09-18

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117317013A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.29#公开

摘要：本发明提供一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：埋P层和N‑drift层；所述N‑drift层包括位于衬底上方的第一部分和位于所述埋P层之间的第二部分；所述N‑drift层的第二部分位于所述N‑drift层的第一部分的上方并与所述埋P层邻接；所述埋P层位于N‑drift层第二部分的两侧。本发明利用在N‑drift层两侧的埋P层来减小沟槽底部拐角处的电场强度，并且还增加了HK介质层和CSL层，用于平滑电场和减小SiCUMOS的导通电阻，解决了现有技术中采用P+屏蔽层保护栅极氧化层的同时提高了导通电阻的缺点，本发明在保护栅极氧化层的同时具有较低的导通电阻，提升了SiCUMOS的电流密度。

主权项：1.一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiCUMOS，其特征在于，包括：埋P层和N-drift层；所述N-drift层包括位于衬底上方的第一部分和位于所述埋P层之间的第二部分；所述N-drift层的第二部分位于所述N-drift层的第一部分的上方并与所述埋P层邻接；所述埋P层位于N-drift层第二部分的两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS及制备方法

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