申请/专利权人：艾鲍尔半导体

申请日：2019-08-28

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN110970491B

主分类号：H01L29/08

分类号：H01L29/08;H01L21/331;H01L29/739;H01L21/02

优先权：["20181001 US 62/739,813","20190613 US 16/440,696"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.07#公开

摘要：在制造前侧IGBT结构后没有背侧激光掺杂物激活或任何温度超过450℃的工艺的情况下制造的场终止绝缘栅双极型晶体管IGBT提供具有受控制的掺杂浓度的激活注入区。注入区可以通过外延生长或者离子注入和扩散形成在衬底上或衬底中，然后生长N场终止和漂移层以及前侧制造IGBT有源单元。背侧材料去除可以暴露多个注入区以与背侧金属电连接。替代地，在前侧制造IGBT有源单元之后，背侧材料去除可以暴露场终止层或注入区，并且使用具有良好控制的掺杂浓度的硅靶的溅射可以形成具有良好控制的掺杂浓度的空穴或电子注入区。

主权项：1.一种制造垂直绝缘栅双极型晶体管IGBT结构的方法，包括：在半导体衬底的前侧上生长第一导电类型的注入区；在所述注入区上生长第二导电类型的场终止层；生长所述场终止层的第二导电类型的漂移区；在所述漂移区中和所述漂移区上形成多个绝缘栅双极型晶体管有源单元；在形成所述绝缘栅双极型晶体管有源单元之后，从所述半导体衬底的背侧去除材料以暴露所述注入区的底部；以及沉积与所述注入区的底部接触的背侧金属。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾鲍尔半导体 场终止绝缘栅双极型晶体管中的背侧掺杂激活

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD