申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2015-09-10

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN113506730B

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L21/28;H01L21/8238

优先权：["20141219 KR 10-2014-0184983"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2021.11.02#实质审查的生效;2021.10.15#公开

摘要：一种用于刻蚀栅极的方法，包括：在衬底之上形成高k材料层；在高k材料层之上形成上位层；执行用于刻蚀上位层的第一刻蚀工艺，以形成上位层图案；在上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括BCl3和氩的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层。其中，氩的量与BCl3基本上相同，以提高相对于衬底的刻蚀选择比。其中，在比第一刻蚀工艺高的温度执行第二刻蚀工艺。

主权项：1.一种用于形成栅极的方法，所述方法包括：准备包括第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域和第二区域中的衬底之上形成高k材料层；在所述第一区域中的高k材料层之上形成第一上位层，以及在所述第二区域中的高k材料层之上形成第二上位层；执行用于刻蚀所述第一上位层和第二上位层的第一刻蚀工艺，以形成第一上位层图案和第二上位层图案；在所述第一上位层图案和第二上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括BCl3和氩的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层，其中，氩的量与BCl3基本上相同，以提高相对于衬底的刻蚀选择比，其中，在比第一刻蚀工艺高的温度执行第二刻蚀工艺，其中，所述第一上位层包括基于稀土金属的覆盖层、在基于稀土金属的覆盖层之上的第一功函数调节层、在第一功函数调节层之上的第一硅基覆盖层、以及在第一硅基覆盖层之上的第一金属栅电极层，其中，所述第二上位层包括第二功函数调节层、在第二功函数调节层之上的第二硅基覆盖层、以及在第二硅基覆盖层之上的第二金属栅电极层，其中，所述第一刻蚀工艺包括：第一子刻蚀工艺，用于刻蚀所述第一硅基覆盖层和第二硅基覆盖层；第二子刻蚀工艺，用于刻蚀所述第一功函数调节层和第二功函数调节层；以及第三子刻蚀工艺，用于刻蚀所述基于稀土金属的覆盖层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 用于刻蚀高k金属栅层叠的方法

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