申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117334748A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/47;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明提供一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：HK介质层和肖特基金属；所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间，并与衬底和N‑drift层邻接；所述肖特基金属位于N‑drift层与源极之间，用于提供从源极到漏极的导电通道。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁，肖特基二极管的开启电压远小于体二极管，在SiCUMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启，在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用，并且在源极沟槽下方设置了HK介质层用于避免沟槽底部漏电，还能够改善电场分布，防止电场线集中损毁SiCUMOS，显著地提高了SiCUMOS的电气性能。

主权项：1.一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiCUMOS，其特征在于，包括：HK介质层和肖特基金属；所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间，并与衬底和N-drift层邻接；所述肖特基金属位于N-drift层与源极之间，用于提供从源极到漏极的导电通道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法

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