申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2023-11-24

公开（公告）号：CN117116751A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.12#实质审查的生效;2023.11.24#公开

摘要：本发明提供一种优化HK金属栅可靠性的工艺方法，提供半导体结构，在半导体结构上进行厚栅极氧化物的生长，之后进行退火工艺；半导体结构中形成有NMOS金属栅，NMOS金属栅中形成有P型功函数层；在半导体结构上形成底部抗反射涂层；对底部抗反射涂层进行刻蚀，并去除NMOS金属栅中的P型功函数层；对底部抗反射涂层去除。本发明中优化了NMOS金属栅工艺中的P型功函数层的去除工艺，以消除对底部阻挡层的损伤；通过退火工艺，优化厚栅极氧化物的生长；最终使N型IO器件的HCI可靠性得到提升。

主权项：1.一种优化HK金属栅可靠性的工艺方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供半导体结构，在所述半导体结构上进行厚栅极氧化物的生长，之后进行退火工艺；步骤二、所述半导体结构中形成有NMOS金属栅，所述NMOS金属栅中形成有P型功函数层；在所述半导体结构上形成底部抗反射涂层；步骤三、对所述底部抗反射涂层进行刻蚀，并去除所述NMOS金属栅中的P型功函数层；步骤四、对所述底部抗反射涂层去除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种优化HK金属栅可靠性的工艺方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD