申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117438463A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.23#公开

摘要：本发明公开了一种适用于并联应用的集成SBD二极管的VDMOSFET，包括：第一阱区和多个SBD金属板；所述第一阱区位于第二阱区和第三阱区之间，所述第二阱区和第三阱区上沉积有源极金属；所述第一阱区的第一位置上沉积有所述多个SBD金属板；所述SBD金属板之间存在间隔，所述多个SBD金属板在所述第一阱区表面上的投影面积之和与所述第一阱区表面的面积之比满足预设范围；所述第一阱区的第二位置中掺杂有P离子，用于形成PN二极管，以降低SBD二极管的导通电压。本发明能够对抗工艺窗口变异的器件结构，适用于并联的大电流应用，提高并联时器件的抗浪涌电流能力，避免损坏器件。

主权项：1.一种适用于并联应用的集成SBD二极管的VDMOSFET，其特征在于，包括：第一阱区和多个SBD金属板；所述第一阱区位于第二阱区和第三阱区之间，所述第二阱区和第三阱区上沉积有源极金属；所述第一阱区的第一位置上沉积有所述多个SBD金属板；所述SBD金属板之间存在间隔，所述多个SBD金属板在所述第一阱区表面上的投影面积之和与所述第一阱区表面的面积之比满足预设范围；所述第一阱区的第二位置中掺杂有P离子，用于形成PN二极管，以降低SBD二极管的导通电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种适用于并联应用的集成SBD二极管的VDMOSFET及其制备方法

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