申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117334745A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/47;H01L29/417;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明提供一种源极沟槽集成SBD超结SiCMOS及制备方法，该超结SiCMOS包括：肖特基金属和P柱；所述肖特基金属位于漂移层与源极之间；所述肖特基金属贴附于源极沟槽底部壁面并与源极邻接；所述P柱位于所述肖特基金属下方并与所述肖特基金属、N‑drift层和衬底邻接。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁，肖特基二极管的开启电压远小于体二极管，在超结SiCMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启，在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用，显著地提高了超结SiCMOS的反向能力。

主权项：1.一种源极沟槽集成SBD超结SiCMOS，其特征在于，包括：肖特基金属和P柱；所述肖特基金属位于N-drift层与源极之间；所述肖特基金属贴附于源极沟槽底部壁面并与源极邻接；所述P柱位于所述肖特基金属下方并与所述肖特基金属、N-drift层和衬底邻接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种源极沟槽集成SBD超结SiC MOS及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD