申请/专利权人：成都功成半导体有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117438474A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本发明公开了一种集成SBD结构的碳化硅超结及其制备方法，该碳化硅超结包括碳化硅衬底和在碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层；在碳化硅外延层上设有一个沟槽结构，沟槽结构内设有填充柱；沟槽结构内在填充柱上方设有氧化层和栅电极，栅电极顶端与碳化硅外延层上端齐平；在碳化硅外延层上还设有第一注入区、第二注入区和第三注入区，碳化硅外延层内在填充柱下方还设有第四注入区；栅电极上覆盖有钝化层，钝化层旁设有欧姆接触和肖特基接触；整个碳化硅外延层上方覆盖有源金属电极，背面覆盖有漏金属电极。本发明可以满足低特征导通电阻、高反向耐压；同时集成了SBD结构，能够成功改善传统的硅基超结结构存在的体二极管正向导通差问题。

主权项：1.一种集成SBD结构的碳化硅超结，该碳化硅超结包括碳化硅衬底（101）和在碳化硅衬底（101）上生长的碳化硅外延层（102）；其特征在于，在所述碳化硅外延层（102）上设有一个沟槽结构（115），沟槽结构（115）内设有填充柱（103）；所述沟槽结构（115）内在填充柱（103）上方设有氧化层（108）和栅电极（107），栅电极（107）顶端与碳化硅外延层（102）上端齐平；在所述碳化硅外延层（102）上还设有第一注入区（104）、第二注入区（105）和第三注入区（106），所述碳化硅外延层（102）内在填充柱（103）下方还设有第四注入区（114）；所述栅电极（107）上覆盖有钝化层（109），钝化层（109）旁设有欧姆接触（110）和肖特基接触（111）；整个所述碳化硅外延层（102）上方覆盖有源金属电极（112），背面覆盖有漏金属电极（113）；所述碳化硅衬底（101）、碳化硅外延层（102）、栅电极（107）、第一注入区（104）的掺杂类型均为第一导电类型；所述填充柱（103）、第二注入区（105）、第三注入区（106）和第四注入区（114）的掺杂类型均为第二导电类型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都功成半导体有限公司 一种集成SBD结构的碳化硅超结及其制备方法

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