申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN117393601A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.01.12#公开

摘要：本发明提供一种集成SBD的垂直SiCMOSFET及制备方法，该SiCMOSFET包括：肖特基金属；所述肖特基金属位于栅极下方并与栅极氧化层邻接。本发明在栅极下方增加了一块肖特基金属，形成肖特基二极管，并且该肖特基金属与源极短接，当SiCMOSFET正常工作时，该肖特基二极管处于关断状态，当SiCMOSFET反接时，该肖特基二极管处于开通状态，并且比体二极管更早开启，提供了由源极流向肖特基二极管最终流向漏极的反向续流回路，能够增强SiCMOSFET的反向续流能力，还能够降低米勒电容，减少开关损耗。

主权项：1.一种集成SBD的垂直SiCMOSFET，其特征在于，包括：肖特基金属；所述肖特基金属位于栅极下方并与栅极氧化层邻接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种集成SBD的垂直SiC MOSFET及制备方法

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