申请/专利权人：通威微电子有限公司

申请日：2023-10-11

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117059672B

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L27/06;H01L21/329;H01L21/82

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：本申请提供了一种集成SBD的半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该集成SBD的半导体器件包括：第一类型外延片；位于平面区表层的第二类型阱区，第二类型阱区与凸起区相邻；位于第二类型阱区表层的第一掺杂区与第二掺杂区；部分位于第二掺杂区表层的倾斜掺杂区，且倾斜掺杂区的另一部分延伸至凸起区下方的非阱区内；倾斜掺杂区的宽度小于第二掺杂区的宽度；位于凸起区内且靠近第二类型阱区一侧的第三掺杂区；位于第二类型阱区表面的栅极结构；位于第一掺杂区、第二掺杂区、倾斜掺杂区以及凸起区表面的接触层，其中，接触层与凸起区中除第三掺杂区以外的区域形成肖特基接触。本申请具有提高了器件电性能与可靠性，降低成本的优点。

主权项：1.一种集成SBD的半导体器件，其特征在于，所述集成SBD的半导体器件包括：第一类型外延片；其中，所述外延片包括凸起区与平面区，且所述凸起区的高度大于所述平面区的高度；位于所述平面区表层的第二类型阱区（103），所述第二类型阱区（103）与所述凸起区相邻；位于所述第二类型阱区（103）表层的第一掺杂区（104）与第二掺杂区（105），所述第一掺杂区（104）与第二掺杂区（105）接触，所述第二掺杂区（105）与所述凸起区相邻；部分位于所述第二掺杂区（105）表层的倾斜掺杂区（106），且所述倾斜掺杂区（106）的另一部分延伸至所述凸起区下方的非第二类型阱区（103）内；所述倾斜掺杂区（106）的宽度小于所述第二掺杂区（105）的宽度；位于所述凸起区内且靠近所述第二类型阱区（103）一侧的第三掺杂区（107）；所述第一掺杂区（104）为第一类型掺杂区，所述第二掺杂区（105）、所述倾斜掺杂区（106）以及所述第三掺杂区（107）均为第二类型掺杂区；位于所述第二类型阱区（103）表面的栅极结构（108）；位于所述第一掺杂区（104）、第二掺杂区（105）、倾斜掺杂区（106）以及所述凸起区表面的接触层，其中，所述接触层与所述凸起区中除所述第三掺杂区（107）以外的区域形成肖特基接触；位于所述接触层表面的第一金属层（111）以及位于所述外延片背面的第二金属层（112）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通威微电子有限公司 一种集成SBD的半导体器件及其制作方法

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