申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-02-06

公开（公告）号：CN117525155A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明公开了一种集成SBD二极管的MOSFET及其制备方法，集成SBD二极管的MOSFET包括漂移区、衬底、漏极金属层，其中漂移区包括位于衬底上方的第一延伸部和位于漏极金属层上方的第二延伸部，第一延伸部与衬底邻接，第二延伸部与漏极金属层邻接；衬底位于第一延伸部和漏极金属层之间，衬底分别与漏极金属层、第二延伸部邻接；漏极金属层与第二延伸部形成肖特基接触。本发明提供的集成SBD二极管的MOSFET通过漏极金属层与第二延伸部形成肖特基接触，即形成了较低的空穴势垒高度的肖特基势垒，加速了空穴的抽取，降低了MOSFET的反向恢复电荷，减少了少子存储问题，具有更快的反向恢复速度。

主权项：1.一种集成SBD二极管的MOSFET，其特征在于，包括：漂移区、衬底、漏极金属层；所述漂移区包括位于所述衬底上方的第一延伸部和位于所述漏极金属层上方的第二延伸部，所述第一延伸部与所述衬底邻接，所述第二延伸部与所述漏极金属层邻接；所述衬底位于所述第一延伸部和所述漏极金属层之间，所述衬底分别与所述漏极金属层、所述第二延伸部邻接；所述漏极金属层与所述衬底形成欧姆接触，所述漏极金属层与所述第二延伸部形成肖特基接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 一种集成SBD二极管的MOSFET及其制备方法

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