申请/专利权人：江苏索力德普半导体科技有限公司

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN117393611A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本申请具体公开了一种集成SBD的碳化硅场效应管，其半元胞结构包括外延层，外延层沿Z轴方向从下至上依次叠层设置有P型沟槽区和P型基区，P型基区开设有沟槽，沟槽底部注入有第一N+源区，P型沟槽区与P型基区一体成型；P型基区沿X轴方向的一侧注入有第二N+源区，P型基区沿Y轴方向的另一侧设置有P+源区，第二N+源区和P+源区位于沟槽的两侧；沿X轴方向，外延层、第二N+源区和靠近第二N+源区的P型基区上具有栅结构；第二N+源区的侧面、第一N+源区和P+源区顶部均与势垒金属接触。本申请中将不参与载流子传输的N+区域舍去换成SBD结构，并增加P型载流子注入深度，优化器件寄生二极管的动态特性。

主权项：1.一种集成SBD的碳化硅场效应管，以三维直角坐标系对碳化硅场效应管的三维方向进行定义：定义碳化硅场效应管横向方向为X轴方向、碳化硅场效应管垂直方向为Y轴方向、碳化硅场效应管纵向方向即第三维方向为Z轴方向；其特征在于，其半元胞结构包括外延层1，所述外延层1沿Z轴方向从下至上依次叠层设置有P型沟槽区2和P型基区3，所述P型基区3开设有沟槽31，所述沟槽31底部注入有第一N+源区4，所述有P型沟槽区2与P型基区3一体成型；所述P型基区3沿X轴方向的一侧注入有第二N+源区5，所述P型基区3沿Y轴方向的另一侧设置有P+源区6，所述第二N+源区5和所述P+源区6位于沟槽31的两侧；所述外延层1顶部沿Y轴方向间隔分布有所述P型基区3；沿X轴方向，所述外延层1、所述第二N+源区5和靠近所述第二N+源区5的所述P型基区3上具有栅结构7；所述第二N+源区5的侧面、所述第一N+源区4和所述P+源区6顶部均与势垒金属8接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏索力德普半导体科技有限公司 一种集成SBD的碳化硅场效应管

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