申请/专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113394339B

主分类号：H10N52/80

分类号：H10N52/80;H10N52/01

优先权：["20200313 US 16/817,623"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.10.01#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：本发明涉及霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法，提供一种霍尔效应感测器装置，包括一个或多个感测器结构。各感测器结构可包括：具有第一导电类型的基层；设置在基层之上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的霍尔板区域；设置在霍尔板区域周围并邻接所述霍尔板区域且与基层接触的第一隔离区域；设置在所述霍尔板区域内的多个第二隔离区域；以及设置在霍尔板区域内的多个终端区域。第一隔离区域和第二隔离区域可以包括电性绝缘材料，并且各相邻对的终端区域可以通过多个第二隔离区域中的一个而彼此电性隔离。

主权项：1.一种包括感测器结构的霍尔效应感测器装置，其中，所述感测器结构包括：基层，具有第一导电类型；霍尔板区域，设置在所述基层之上具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；第一隔离区域，设置在所述霍尔板区域周围并邻接所述霍尔板区域，其中，所述第一隔离区域包括电性绝缘材料并与所述基层接触；多个第二隔离区域，设置在所述霍尔板区域内，其中，所述多个第二隔离区域中的每一个包括电性绝缘材料；以及多个终端区域，设置在所述霍尔板区域内，各相邻对的所述终端区域通过所述多个第二隔离区域中的一个而彼此电性隔离，其中，所述多个终端区域与所述多个第二隔离区域相邻地交替。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法

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