申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-03-14

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894850A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种抗HCI效应的LDMOS器件，包括：衬底，所述衬底或所述衬底的外延层内设有埋层区；漂移区，所述漂移区设于所述衬底内且位于所述埋层区上方，所述漂移区上设有体区；栅极结构，所述栅极结构设于所述衬底上，且横跨所述漂移区和所述体区；场氧，所述场氧设于所述衬底上且连接所述栅极结构，在所述场氧与所述衬底之间设有用于钝化界面悬挂键的Si‑F键区，所述Si‑F键区通过在所述场氧和所述衬底的界面处进行F元素的离子注入形成；自对准隔离层，所述自对准隔离层设于所述衬底上且用于覆盖所述LDMOS器件的有源区，以及部分覆盖所述栅极结构的多晶硅表面。本申请提高LDMOS器件抵抗HCI的能力，从而提高LDMOS器件的可靠性。

主权项：1.一种抗HCI效应的LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底或所述衬底的外延层内设有埋层区；漂移区，所述漂移区设于所述衬底内且位于所述埋层区上方，所述漂移区上设有体区；栅极结构，所述栅极结构设于所述衬底上，且横跨所述漂移区和所述体区；场氧，所述场氧设于所述衬底上且连接所述栅极结构，在所述场氧与所述衬底之间设有用于钝化界面悬挂键的Si-F键区，所述Si-F键区通过在所述场氧和所述衬底的界面处进行F元素的离子注入形成；自对准隔离层，所述自对准隔离层设于所述衬底上且用于覆盖所述LDMOS器件的有源区，以及部分覆盖所述栅极结构的多晶硅表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 抗HCI效应的LDMOS器件

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