申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855045A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/768

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请公开了一种LDMOS制造方法及器件，其中方法包括：S1：提供一形成有P型埋层和N型埋层的衬底，衬底上形成有外延层，外延层表层形成有间隔设置的多对浅沟槽隔离，其中，最靠近N型埋层中心的浅沟槽隔离定义为第一浅沟槽隔离；S2：在第一浅沟槽隔离上方形成对接多晶硅结构，并在外延层进行离子注入工艺，以在外延层中形成漂移区、第一阱区、第二阱区和高压P阱区；S3：在外延层表面形成多晶硅栅极；S4：进行离子注入，形成位于漂移区表层的漏极和位于高压P阱区表层的源极；S5：制作接触孔场板，接触孔场板的第一接触孔停留于对接多晶硅结构，第二接触孔对接于源极。本申请通过上述方案，可以提高屏蔽接触结构的稳定性。

主权项：1.一种LDMOS制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一形成有P型埋层和N型埋层的衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层表层形成有间隔设置的多对浅沟槽隔离，其中，最靠近所述N型埋层中心的所述浅沟槽隔离定义为第一浅沟槽隔离；S2：在所述第一浅沟槽隔离上方形成对接多晶硅结构，并在所述外延层进行离子注入工艺，以在所述外延层中形成漂移区、第一阱区、第二阱区和高压P阱区；S3：在所述外延层表面形成多晶硅栅极；S4：进行离子注入，形成位于所述漂移区表层的漏极和位于所述高压P阱区表层的源极；S5：制作接触孔场板，所述接触孔场板的第一接触孔停留于所述对接多晶硅结构，第二接触孔对接于所述源极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种LDMOS制造方法及器件

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