申请/专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司

申请日：2019-11-21

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN112825332B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.06.08#实质审查的生效;2021.05.21#公开

摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包括：横向接触的沟道区和漂移区，源区形成在沟道区的表面且和栅极结构的第一侧面自对准。漂移区直接通过漂移区引出区和第二接触孔连接到由正面金属层组成的漏极，从而形成无漏区结构，无漏区结构使漂移区的长度直接由漂移区的第一侧面和第二接触孔的间距确定。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明能减少漂移区的长度，从而能降低器件的输出电容并降低器件在开关过程中的损耗。

主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，LDMOS器件包括：形成于半导体衬底上的第二导电类型掺杂的沟道区和第一导电类型掺杂的漂移区，所述漂移区的第一侧面和所述沟道区横向接触；栅极结构覆盖在所述沟道区表面并延伸到所述漂移区上；被所述栅极结构覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述栅极结构包括依次叠加的栅介质层和栅极导电材料层；第一导电类型重掺杂的源区形成在所述沟道区的表面且和所述栅极结构的第一侧面自对准；所述源区的顶部通过第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极；第二接触孔形成在所述漂移区的顶部，所述第二接触孔在横向上和所述栅极结构的第二侧相隔一段距离；在所述第二接触孔的底部自对准形成有通过第一导电类型重掺杂离子注入形成的漂移区引出区，所述漂移区引出区和所述第二接触孔形成欧姆接触，所述漂移区直接通过所述漂移区引出区和所述第二接触孔连接到由正面金属层组成的漏极，从而形成无漏区结构，所述无漏区结构使所述漂移区的长度直接由所述漂移区的第一侧面和所述第二接触孔的间距确定，从而消除漏区对所述漂移区的长度的影响，使所述漂移区的长度降低并从而降低器件的输出电容；所述沟道的长度方向为所述源区到所述漂移区的方向；所述沟道的宽度方向为和所述沟道的长度方向垂直的方向；在沿所述沟道的宽度方向上，所述栅极结构、所述源区、所述沟道区和所述漂移区都连续延伸，所述第一接触孔包括一个以上且选择性设置在所述源区中，所述第二接触孔包括一个以上且选择性设置在所述漂移区中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通尚阳通集成电路有限公司 LDMOS器件及其制造方法

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