申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-03-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855283A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种LDMOS器件及其制备方法，衬底具有沟道区以及漂移区，漂移区中具有漏区，漏区与沟道区之间设置有具有依次连接的第一场板区、第二场板区以及第三场板区的沟槽；第一场氧位于第一场板区，第二场氧位于第二场板区，第三场氧位于第三场板区，第三场氧以及第一场氧的厚度均大于第二场氧的厚度，第一场氧的高度小于且等于沟槽的底部到沟道区之间的距离；在沟槽的底部朝向沟槽的槽口的方向上，栅氧化层设置于第一场氧上，并位于沟槽中；栅极多晶硅填充于沟槽中的第一场氧以及第二场氧上，栅极多晶硅以及第三场氧远离沟槽的一面与沟槽的槽口平齐，栅极多晶硅的侧面设置有栅氧化层以及第三场氧，以缩小器件的横向尺寸以及提高耐压性。

主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，具有沟道区以及设置于所述沟道区一侧的漂移区，所述漂移区中设置有漏区，所述漏区与所述沟道区之间设置有沟槽，且所述沟槽与所述漏区间隔设置，所述沟槽具有依次连接的第一场板区、第二场板区以及第三场板区，所述沟槽的底部朝向所述沟槽的槽口的方向为第一方向；第一场氧、第二场氧和第三场氧，所述第一场氧、所述第二场氧和所述第三场氧依次连接并填充于所述沟槽中，所述第一场氧位于所述第一场板区，所述第二场氧位于所述第二场板区，所述第三场氧位于所述第三场板区，其中，所述第三场氧的厚度以及所述第一场氧的厚度均大于所述第二场氧的厚度，所述第一场氧的高度小于且等于所述沟槽的底部到所述沟道区之间的距离，所述第三场氧远离所述沟槽的一面与所述沟槽的槽口平齐；栅氧化层，在所述第一方向上，所述栅氧化层设置于所述第一场氧上，并位于所述沟槽中；栅极多晶硅，填充于所述沟槽中的所述第一场氧以及所述第二场氧上，所述栅极多晶硅远离所述沟槽的一面与所述沟槽的槽口平齐，所述栅极多晶硅的侧面设置有所述栅氧化层以及所述第三场氧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种LDMOS器件及其制备方法

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