申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-03-08

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878158A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种沟槽栅型的LDMOS器件及其制造方法，衬底具有沟道区以及漂移区，沟道区中设置有源区以及体区，衬底包括第一沟槽以及第二沟槽，第一沟槽与第二沟槽间隔设置于漂移区中，第二沟槽设置于每两相邻的第一沟槽之间，沟道区设置于第二沟槽与第一沟槽之间，第二沟槽的深度大于沟道区的深度；场氧层设置于第一沟槽的内壁上，栅氧化层设置于第二沟槽的内壁上；场板多晶硅设置于第一沟槽中，场氧层围绕场板多晶硅设置，栅极多晶硅设置于第二沟槽中，栅氧化层围绕栅极多晶硅设置；每一场板多晶硅通过一第一连接部与一体区以及一源区连接，栅极多晶硅与第二连接部连接，以提高LDMOS器件的耐压性，同时降低LDMOS器件的横向尺寸。

主权项：1.一种沟槽栅型的LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，具有沟道区以及漂移区，所述沟道区中设置有源区以及体区，所述衬底包括至少两个第一沟槽以及至少一个第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽间隔设置于所述漂移区中，所述第二沟槽设置于每两相邻的所述第一沟槽之间，所述沟道区设置于所述第二沟槽与所述第一沟槽之间，所述第二沟槽的深度大于所述沟道区的深度；场氧层和栅氧化层，所述场氧层设置于所述第一沟槽的内壁上，所述栅氧化层设置于所述第二沟槽的内壁上；场板多晶硅和栅极多晶硅，所述场板多晶硅设置于所述第一沟槽中，所述场氧层围绕所述场板多晶硅设置，所述栅极多晶硅设置于所述第二沟槽中，所述栅氧化层围绕所述栅极多晶硅设置；第一连接部和第二连接部，每一所述场板多晶硅通过一所述第一连接部与一所述体区以及一所述源区连接，所述栅极多晶硅与所述第二连接部连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种沟槽栅型的LDMOS器件及其制造方法

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