申请/专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司

申请日：2023-10-19

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832269A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；沟槽隔离结构，位于半导体层内，沟槽隔离结构为环形，沟槽隔离结构内部的区域为有源区，沟槽隔离结构以及沟槽隔离结构外侧的区域为终端区；第二掺杂类型的漂移区，位于半导体层内，漂移区的一部分位于有源区内，漂移区的另一部分位于沟槽隔离结构下方；第一掺杂类型的体区，部分体区位于有源区内；第二掺杂类型的源区，位于体区内；第二掺杂类型的漏区，位于漂移区内；栅结构，位于部分体区和漂移区上，且位于源区和漏区之间；其中，源区和漏区位于有源区内，漏区与沟槽隔离结构相互分离。

主权项：1.一种LDMOS器件，包括：半导体层；沟槽隔离结构，位于所述半导体层内，所述沟槽隔离结构为环形，所述沟槽隔离结构内部的区域为有源区，所述沟槽隔离结构以及所述沟槽隔离结构外侧的区域为终端区；第二掺杂类型的漂移区，位于所述半导体层内，所述漂移区的一部分位于所述有源区内，所述漂移区的另一部分位于所述沟槽隔离结构下方；第一掺杂类型的体区，部分所述体区位于所述有源区内；第二掺杂类型的源区，位于所述体区内；第二掺杂类型的漏区，位于所述漂移区内；栅结构，位于部分所述体区和所述漂移区上，且位于所述源区和所述漏区之间；其中，所述源区和所述漏区位于所述有源区内，所述漏区与所述沟槽隔离结构相互分离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州士兰微电子股份有限公司 一种LDMOS器件及其制备方法

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