申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855278A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L27/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请公开了一种包含电阻的LDMOS器件，包括：衬底，其中形成有DTI结构，从俯视角度观察，DTI结构为环形，DTI结构环绕的区域内形成有LDMOS器件；电阻，其形成于DTI结构上且其与衬底不接触；其中，LDMOS器件包括形成于衬底上的栅介电层、形成于栅介电层上的栅极以及形成于衬底中的掺杂区和重掺杂区，重掺杂区中掺入的杂质浓度大于掺杂区中掺入的杂质浓度。本申请通过在LDMOS的有源区外侧设置DTI结构，将电阻设置于DTI结构上，从而提高了电阻与衬底之间的隔离效果，降低了寄生MOS的开启风险，提高了器件的可靠性。

主权项：1.一种包含电阻的LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有DTI结构，从俯视角度观察，所述DTI结构为环形，所述DTI结构环绕的区域内形成有LDMOS器件；电阻，所述电阻形成于DTI结构上且所述电阻与衬底不接触；其中，所述LDMOS器件包括形成于衬底上的栅介电层、形成于所述栅介电层上的栅极以及形成于衬底中的掺杂区和重掺杂区，所述重掺杂区中掺入的杂质浓度大于所述掺杂区中掺入的杂质浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 包含电阻的LDMOS器件

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