申请/专利权人：通用电气公司

申请日：2018-05-14

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN110945662B

主分类号：H01L29/43

分类号：H01L29/43;H01L29/49;H10N70/00;H10N97/00;H01L21/768

优先权：["20170518 US 15/599,119"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.06.16#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：一种半导体功率转换设备，包括在有源区域的不同部分中的多个器件单元，每个器件单元包括各自的栅极电极。该设备包括具有多个集成电阻器的栅极垫，每个集成电阻器具有各自的电阻。该设备包括在在栅极垫和有源区域的第一部分中多个栅极电极之间延伸的第一栅极总线。第一区域的多个栅极电极通过第一集成电阻器和第一栅极总线电连接到外部栅极连接，并且其中有源区域的第二部分中的多个栅极电极通过第二集成电阻器电连接到外部栅极连接，其中第一和第二集成电阻器具有完全不同的各自的电阻值。

主权项：1.一种半导体功率转换设备，包括：有源区域，包括：设置在所述有源区域的不同部分中的多个器件单元，其中所述多个器件单元包括多个栅极电极；以及栅极垫和总线区，包括：栅极垫，包括与具有多个集成电阻器的集成电阻器网络相邻设置的栅极金属接触区域；第一栅极总线，在所述栅极垫和所述半导体功率转换设备的所述有源区域的第一部分中的所述多个栅极电极的第一部分之间延伸；以及栅极垫金属，直接设置在所述栅极垫的所述栅极金属接触区域上并结合到外部栅极连接，其中，所述多个栅极电极的所述第一部分具有第一栅极电阻和第一输入电容并且通过所述多个集成电阻器的第一集成电阻器、所述第一栅极总线、所述栅极金属接触区域和所述栅极垫金属电连接到所述外部栅极连接，其中，所述半导体功率转换设备的所述有源区域的第二部分中的所述多个栅极电极的第二部分具有第二栅极电阻和第二输入电容并且通过所述多个集成电阻器的第二集成电阻器、所述栅极金属接触区域和所述栅极垫金属电连接到所述外部栅极连接，并且其中，所述第一集成电阻器和所述第二集成电阻器具有完全不同的各自的电阻值，以考虑所述第一栅极电阻和所述第二栅极电阻之间以及所述第一输入电容和所述第二输入电容之间的差异来平衡与所述多个器件单元相关联的输入电容的接通关断。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通用电气公司 半导体功率转换设备的集成栅极电阻器

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