申请/专利权人:深圳天狼芯半导体有限公司
申请日:2023-12-01
公开(公告)日:2024-01-02
公开(公告)号:CN117334747A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/47;H01L29/417;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.01.19#实质审查的生效;2024.01.02#公开
摘要:本发明提供一种源极沟槽集成SBD的SiC平面MOS及制备方法,该SiC平面MOS包括:肖特基金属;所述肖特基金属位于N‑drift层和源极之间;所述肖特基金属贴附于源极沟槽底部壁面并与源极和漂移层邻接。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁,肖特基二极管的开启电压远小于体二极管,在SiC平面MOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启,在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用,显著地提高了SiC平面MOS的反向能力。
主权项:1.一种源极沟槽集成SBD的SiC平面MOS,其特征在于,包括:肖特基金属;所述肖特基金属位于N-drift层和源极之间;所述肖特基金属贴附于源极沟槽底部壁面并与源极和漂移层邻接。
全文数据:
权利要求:
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