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【发明授权】一种晶圆残片全自动切割方法及装置_武汉华工激光工程有限责任公司;华工科技产业股份有限公司_202311253277.0 

申请/专利权人:武汉华工激光工程有限责任公司;华工科技产业股份有限公司

申请日:2023-09-27

公开(公告)日:2023-12-29

公开(公告)号:CN116995030B

主分类号:H01L21/78

分类号:H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402;B23K26/70

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.12.29#授权;2023.11.21#实质审查的生效;2023.11.03#公开

摘要:本发明提供了一种晶圆残片全自动切割方法及装置,属于半导体技术领域,该方法包括如下步骤:获取晶圆残片的完整图像并提取残片轮廓曲线,进行均匀偏移以获得残片轮廓更新曲线,然后将其转换到切割设备坐标系中;获取某个Mark点的中心位置和方向向量并转换到切割设备坐标系中;在切割设备坐标系下自Mark点向周围阵列晶粒轮廓,然后去除重合部分以形成切割轨迹,利用残片轮廓更新曲线修剪切割轨迹以获得实际切割轨迹。本发明提供的方法自动化程度高,有效提高了晶圆残片切割的稳定性和运行效率,并且与人工绘制外轮廓相比偏移距离的数值更小、精度更高,能够有效提高晶圆残片的利用率,并且避免切割轨迹冗余造成切割效率低。

主权项:1.一种晶圆残片全自动切割方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:S1获取晶圆残片的完整图像并提取残片轮廓曲线;S2对所述残片轮廓曲线进行均匀偏移以获得残片轮廓更新曲线,并将所述残片轮廓更新曲线转换到切割设备坐标系中;S3获取晶圆残片上某个Mark点的图像并获得该Mark点的中心位置和方向向量,然后将其转换到切割设备坐标系中;S4在切割设备坐标系下根据步骤S3获得的信息,自Mark点向周围阵列若干晶粒轮廓,然后去除晶粒轮廓的重合部分以形成切割轨迹;S5利用步骤S2获得的残片轮廓更新曲线修剪所述切割轨迹以获得实际切割轨迹,进而实现晶圆残片全自动切割。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉华工激光工程有限责任公司;华工科技产业股份有限公司 一种晶圆残片全自动切割方法及装置

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