申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2023-09-14

公开（公告）日：2024-01-02

公开（公告）号：CN117328139A

主分类号：C30B23/02

分类号：C30B23/02;C30B29/32;C30B29/22;C30B29/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.02#公开

摘要：本发明属于柔性无铅铁电薄膜的制备技术领域，具体涉及一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法，包括以下步骤：S1、采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上依次沉积Sr3Al2O6和KNN‑BZ‑BNT外延单晶薄膜；S2、利用热塑性树脂在S1外延单晶薄膜上表面粘合CPI薄膜基底，然后在薄膜表面施加等静压的同时升温至80‑130℃加热固化；S3、用去离子水使S2样品中的Sr3Al2O6溶解，即可使外延单晶薄膜转移至CPI基底上。本发明采用Sr3Al2O6作为牺牲层，结合剥离转移技术，实现了在CPI薄膜基板上无铅铁电薄膜的集成，有利于柔性无铅铁电器件的柔性化、透明化和集成化。

主权项：1.一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、采用脉冲激光沉积工艺在SrTiO3单晶基片上依次沉积Sr3Al2O6和0.915K0.45Na0.5Li0.05NbO3-0.075BaZrO3-0.01Bi0.5Na0.5TiO3外延单晶薄膜；S2、利用热塑性树脂在S1外延单晶薄膜上表面粘合CPI薄膜基底，然后在薄膜表面施加等静压的同时升温至80℃-130℃加热固化；S3、用去离子水使S2样品中的Sr3Al2O6溶解，即可使外延单晶薄膜转移至CPI基底上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种柔性透明铌酸钾钠基无铅铁电单晶薄膜及其制备方法

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