申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2024-01-05

公开（公告）号：CN117355192A

主分类号：H10K71/12

分类号：H10K71/12;H10K71/15;H10K71/40;H10K71/16;H10K10/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要：本发明公开了用二维材料掺杂和偏心旋涂改善有机场效应晶体管的方法，具体按照以下步骤实施：取2cm×2cm的硅片，对硅片进行清洗；将二氯甲烷溶剂与1,2‑二氯苯溶剂混合，将混合液分成两份，一份加入P3HT粉末，得到P3HT混合溶液，另一份加入二硫化钼粉末，经超声、分离后，取上清液；将P3HT混合溶液与上清液混合得到涂覆液；将涂覆液通过偏心旋涂法，旋涂在硅片上，再真空退火，得到包括有源层的硅片；用真空蒸镀法蒸镀电极，电极材料为铜。解决了现有技术中存在的P3HT薄膜有序度低，迁移率低的问题。

主权项：1.用二维材料掺杂和偏心旋涂改善有机场效应晶体管的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、取2cm×2cm的硅片，对硅片进行清洗；步骤2、将二氯甲烷溶剂与1,2-二氯苯溶剂混合，将混合液分成两份，一份加入P3HT粉末，得到P3HT混合溶液，另一份加入二硫化钼粉末，经超声、分离后，取上清液；步骤3、将P3HT混合溶液与上清液混合得到涂覆液；步骤4、将涂覆液通过偏心旋涂法，旋涂在硅片上，再真空退火，得到包括有源层的硅片；步骤5、用真空蒸镀法蒸镀电极，电极材料为铜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 用二维材料掺杂和偏心旋涂改善有机场效应晶体管的方法

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