申请/专利权人：中国科学院上海高等研究院

申请日：2023-11-02

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN117385361A

主分类号：C23F3/06

分类号：C23F3/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明涉及一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法，其包括利用HF、HNO3和H3PO4混合的BCP酸液与铌反应形成可溶的铌化合物进行超导铌腔表面抛光，其中，通过改变BCP酸液的配比以增大NO气体在BCP酸液中的气体溶解度并减小BCP酸液的粘度，以避免超导铌腔在BCP抛光过程中表面产生麻点凹坑。本发明还涉及一种BCP酸液，其中的k＝VHF+HNO3VH3PO4≥2，n＝VHNO3VHF＞1.64。根据本发明的解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液，可以解决超导铌腔BCP表面产生麻点凹坑问题，所抛光的铌表面和抛光的超导铌腔射频性能都非常好。

主权项：1.一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法，其特征在于，该方法包括利用HF、HNO3和H3PO4混合的BCP酸液与铌反应形成可溶的铌化合物进行超导铌腔表面抛光，其中，通过改变BCP酸液的配比以增大NO气体在BCP酸液中的气体溶解度并减小BCP酸液的粘度，以避免超导铌腔在BCP抛光过程中表面产生麻点凹坑。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海高等研究院 一种解决超导铌腔缓冲化学抛光表面产生麻点凹坑的方法以及BCP酸液

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