申请/专利权人：成都高真科技有限公司

申请日：2022-07-11

公开（公告）日：2024-01-19

公开（公告）号：CN117423629A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种晶圆背面残存膜质检测方法及检测装置，该检测方法，在晶圆背面膜质去除工艺中，在去除晶圆背面膜质的步骤之后，测量晶圆背面的表面电阻值，从而检测膜质的残存情况。本发明解决了现有技术存在的不能实时检测晶圆背面残存膜质从而容易导致不良扩散的问题。

主权项：1.一种晶圆背面残存膜质检测方法，其特征在于，在晶圆背面膜质去除工艺中，在去除晶圆背面膜质的步骤之后，测量晶圆背面的表面电阻值，从而检测膜质的残存情况。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都高真科技有限公司 一种晶圆背面残存膜质检测方法及检测装置

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