申请/专利权人：江苏山水半导体科技有限公司

申请日：2023-03-29

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN116276624B

主分类号：B24B37/04

分类号：B24B37/04;B24B37/10;B24B37/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种提高PSG去除速率及其一致性的化学机械抛光方法，包括：S1、提供待抛光的半导体晶圆，并将其固定于化学机械抛光机的抛光头上，且使晶圆的待抛光面朝向抛光垫；S2、将酸性的化学机械抛光液滴加于抛光垫上，使晶圆的待抛光面与抛光液和抛光垫接触；S3、将抛光垫的半径五等分，按半径的15、25、35、45分别作圆，将抛光垫划分为五个部分，由边缘至内依次称为第一部分Z1、第二部分Z2、第三部分Z3、第四部分Z4以及第五部分Z5；S4、驱动抛光头和抛光垫旋转，使抛光垫与化学机械抛光液摩擦晶圆的待抛光面，进行化学机械抛光；其中：摩擦时抛光垫对晶圆产生的压力为：Z1＝6.7～6.9psi；Z2＝6.4～6.6psi；Z3＝3.0～3.3psi；Z4＝3.0psi；Z5＝2.85psi。

主权项：1.一种提高PSG去除速率及其一致性的化学机械抛光方法，其特征在于,该方法包括如下步骤：S1、提供待抛光的半导体晶圆，并将所述晶圆固定于化学机械抛光机的抛光头上，且使所述晶圆的待抛光面朝向抛光垫；S2、将酸性的化学机械抛光液滴加于所述抛光垫上，同时使所述晶圆的待抛光面与所述化学机械抛光液和所述抛光垫接触；S3、将所述抛光垫的半径五等分，按所述抛光垫半径的15、25、35、45分别作四个圆，将所述抛光垫划分为五个部分，由所述抛光垫的边缘至内依次称为第一部分Z1、第二部分Z2、第三部分Z3、第四部分Z4以及第五部分Z5；S4、驱动所述抛光头和抛光垫旋转，使所述抛光垫与化学机械抛光液摩擦所述晶圆的待抛光面，对晶圆的待抛光面进行化学机械抛光；其中：摩擦时所述抛光垫对所述晶圆产生的压力如下：Z1＝6.7～6.9psi；Z2＝6.4～6.6psi；Z3＝3.0～3.3psi；Z4＝3.0psi；Z5＝2.85psi；所述的化学机械抛光液包括如下重量份数的组分：磨料250～750份；金属螯合剂5～10份；pH调节剂5～18份；表面活性剂0.01～0.20份以及去离子水221～740份；所述化学机械抛光液的pH值为2～6；所述的磨料选自气相二氧化硅；所述磨料的粒径为40～80nm。

全文数据：

权利要求：

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