申请/专利权人：南京屹信航天科技有限公司

申请日：2018-10-12

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN109120286B

主分类号：H04B1/04

分类号：H04B1/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2019.01.25#实质审查的生效;2019.01.01#公开

摘要：本发明公开了一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，包括依次串接的混频器、射频滤波器、射频放大器和腔体滤波器，该混频器包括输入中频信号的中频输入端、输入本振信号的本振输入端，以及混频后输出射频信号的射频输出端，射频输出端与抑制射频信号中杂波的射频滤波器电连接，所述射频滤波器后一级与放大该射频信号的射频放大器电连接，并且所述射频放大器后电连接用以对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器。还进一步公开了上述电路中使用的芯片及接口网络的组成。该电路应用于卫星通信发射通道，能够对射频信号频率进行更改，同时具有稳定可靠、节省功耗、体积较小、成本较低等优点。

主权项：1.一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，包括混频器，其特征在于，所述混频器包括输入中频信号的中频输入端、输入本振信号的本振输入端，以及混频后输出射频信号的射频输出端，所述射频输出端电连接用于抑制所述射频信号中的交调杂波的射频滤波器，所述射频滤波器的后一级电连接用于对所述射频信号进行放大的射频放大器，在所述射频放大器的后一级还电连接用于对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器；所述射频滤波器包括第一级射频滤波器和第二级射频滤波器；所述射频放大器包括第一级射频增益放大器、第二级射频增益放大器和射频功率放大器，所述混频器的所述射频输出端电连接所述第一级射频滤波器后，依次连接所述第一级射频增益放大器、所述第二级射频滤波器、所述第二级射频增益放大器和所述射频功率放大器；所述第一级射频滤波器和所述第二级射频滤波器为结构相同的微带滤波器；所述射频电路的通道呈现为反L型的结构，在所述射频电路的通道的两侧设置金属墙，从所述混频器到所述射频功率放大器，被设置在一个连续且独立的金属腔体内。

全文数据：一种用于小型化ODU发射通道的射频电路技术领域本发明属于通信技术领域，特别是涉及一种适用于小型化ODU发射通道的射频电路。背景技术在卫星通信设备中，ODUOut-doorUnit是指室外单元，主要包括频率变换和功率放大，具体又可以分为发射通道和接收通道，发射通道通常是指BUCBlockUp-Converter，即上变频射频功率放大器，接收通道主要是指LNBLowNoiseBlockdown-converter，即低噪声放大、变频器。在发射通道中通常需要射频电路进行变频、滤波和放大，在小型化应用中，该射频电路的体积、功耗都要低，并且输出的射频信号能够具有良好的特性，例如对工作带宽、输出功率、相位噪声、杂散、频率分辨率等多种指标都要满足设计需求。发明内容本发明主要解决的技术问题是提供一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，解决现有技术中体积大、电路组成复杂、元器件多和功耗大的问题。为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是提供一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，包括混频器，所述混频器包括输入中频信号的中频输入端、输入本振信号的本振输入端，以及混频后输出射频信号的射频输出端，所述射频输出端电连接用于抑制所述射频信号中的交调杂波的射频滤波器，所述射频滤波器的后一级电连接用于对所述射频信号进行放大的射频放大器，在所述射频放大器的后一级还电连接用于对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述射频滤波器包括第一级射频滤波器和第二级射频滤波器。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述射频放大器包括第一级射频增益放大器、第二级射频增益放大器和射频功率放大器，所述混频器的所述射频输出端电连接所述第一级射频滤波器后，依次连接所述第一级射频增益放大器、所述第二级射频滤波器、所述第二级射频增益放大器和所述射频功率放大器。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述混频器的射频输出端与所述第一级射频滤波器之间，所述第一级射频滤波器与所述第一级射频增益放大器之间，所述第一级射频增益放大器与所述第二级射频滤波器之间，以及所述第二级射频滤波器与所述第二级射频增益放大器之间均串接有匹配衰减器。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述第一级射频滤波器和所述第二级射频滤波器为结构相同的微带滤波器。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述微带滤波器包括设置在陶瓷基板上的U型的微波金属带，即第一微波金属带至第七微波金属带，这些微波金属带以第一微波金属带为中心，横向依次间隔排列、开口方向交错分布且呈中心对称，其中第一微波金属带开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带和第三微波金属带均开口向下，分别位于所述第一微波金属带的左侧和右侧，第四微波金属带开口向上且位于所述第二微波金属带的左侧，第五微波金属带开口向上且位于所述第三微波金属带的右侧，第六微波金属带开口向下且位于所述第四微波金属带的左侧，所述第六微波金属带的左分支上横向延伸为第一端口，第七微波金属带开口向下且位于所述第五微波金属带的右侧，所述第七微波金属带的右分支上横向延伸为第二端口。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述混频器包括芯片NC17104C-620，所述中频信号的频率范围是950MHz-1700MHz，所述本振信号的频率是12.8GHz，所述射频信号的频率范围是13.75GHz-14.5GHz，所述芯片NC17104C-620的中频输入端也电连接有匹配衰减器而输入所述中频信号，所述匹配衰减器均为芯片TGL4201。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述第一级射频增益放大器和第二级射频增益放大器均包括芯片CHA3666。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述射频功率放大器包括芯片TGA2533，以及为所述芯片TGA2533提供双极性电压供电的电源电路。在本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中，所述腔体滤波器的尺寸为50mm×13.5mm×8.73mm，带通为13.75GHz-14.5GHz，带内插损≤0.5dB，带内波动≤±0.2dB。本发明的有益效果是：本发明公开了一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，包括混频器，所述混频器包括输入中频信号的中频输入端、输入本振信号的本振输入端，以及混频后输出射频信号的射频输出端，所述射频输出端电连接用于抑制所述射频信号中的交调杂波的射频滤波器，所述射频滤波器的后一级电连接用于对所述射频信号进行放大的射频放大器，在所述射频放大器的后一级还电连接用于对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器。还进一步公开了上述电路中使用的芯片及接口网络的组成。该电路应用于卫星通信发射通道，能够对射频信号频率进行更改，同时具有稳定可靠、节省功耗、体积较小、成本较低等优点。附图说明图1是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路一实施例组成示意图；图2是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中射频电路组成框图；图3是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中微带滤波器示意图；图4是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例中射频电路组成图；图5是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例的混频器电路图；图6是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例的增益放大器电路图；图7是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例的射频功率放大器电路图；图8是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例的射频功率放大器的负压电路图；图9是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路另一实施例的射频功率放大器的6V输出保护电路图。具体实施方式为了便于理解本发明，下面结合附图和具体实施例，对本发明进行更详细的说明。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本发明。下面结合附图，对本发明的各实施例进行详细说明。图1是本发明用于小型化ODU发射通道的射频电路一实施例组成示意图。如图1所示，该用于小型化ODU发射通道的射频电路包括混频器1，所述混频器1包括输入中频信号的中频输入端11、输入本振信号的本振输入端12，以及混频后输出射频信号的射频输出端13，所述射频输出端13电连接用于抑制所述射频信号中的交调杂波的射频滤波器2，所述射频滤波器2的后一级电连接用于对所述射频信号进行放大的射频放大器3，在所述射频放大器3的后一级还电连接用于对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器4。优选的，如图2所示，所述射频滤波器包括第一级射频滤波器21和第二级射频滤波器22。优选的，所述射频放大器包括第一级射频增益放大器31、第二级射频增益放大器32和射频功率放大器33。所述混频器1的所述射频输出端电连接所述第一级射频滤波器21后，依次连接所述第一级射频增益放大器31、所述第二级射频滤波器22、所述第二级射频增益放大器32和所述射频功率放大器33。这里设置有三级射频滤波，其中第一级射频滤波器21设置在混频器1之后，其作用是第一射频滤波器21是对混频后得到的射频信号进行带通滤波，抑制混频后的交调产物，第二射频滤波器22设置在第一射频增益放大器31之后，主要是对增益放大可能产生的非线性失真而造成的杂波成分进行抑制滤波，克服增益放大带来的频率成分的改变，抑制增益放大同步带来的带外信号的功率增加。而在射频功率放大器23之后设置腔体滤波器4的目的则是尽可能减少插入损耗的前提下，获得较大的带外抑制。优选的，这里的腔体滤波器的带内插入损耗≤0.5dB，而第一射频滤波器21和第二射频滤波器22优选为微带滤波器，通常均有6dB的插入损耗。进一步的，所述混频器1的射频输出端与所述第一级射频滤波器21之间串接有匹配衰减器201，所述第一级射频滤波器21与所述第一级射频增益放大器31之间串接有匹配衰减器202，所述第一级射频增益放大器31与所述第二级射频滤波器22之间串接有匹配衰减器203，以及所述第二级射频滤波器22与所述第二级射频增益放大器32之间串接有匹配衰减器204。通过设置这些匹配衰减器，一方面能够使得前后的射频器件在级联时能够保证相互之间的阻抗匹配，防止射频信号在通道内传输时由于阻抗不匹配而造成的信号反向回流，另一方面也能够适应当第一级射频增益放大器、第二级射频增益放大器对输入的射频信号功率有上限要求时，通过衰减器可以降低输入的射频信号功率，因为当输入信号功率过大时将会造成增益放大器饱和而产生非线性失真，因此设置两级增益放大器可以在满足通道的整体增益满足设计指标的同时，还可以使得信号的完整性得到保证。举例而言，如果这两个增益放大器的整体增益为40-50dB，如果第一级射频增益放大器的增益过高为30dB，而第二级射频增益放大器的增益为20dB，则有可能会造成从第一级射频增益放大器输出的射频信号功率比较大，当直接输入第二级射频增益放大器时会造成放大饱和，这样第二级射频增益放大器输出的射频信号就会失真。此时就可以在第一级射频增益放大器和第二级射频增益放大器之间通过增加匹配衰减器来降低输入到第二级射频增益放大器的射频信号的功率，而不至于使得第二级射频增益放大器工作在过饱和状态而使输出的射频信号失真。另外，把射频功率放大器4设置在比较靠后的位置，一方面是由于功率放大得到的射频信号的功率更大，因此电流增大、功耗增大、功率输出也大，放置在后端可以避免这种电流功耗对射频中其它电路造成干扰，增强了射频通道的电磁兼容性。另一方面也有利于直接对外输出高功率的射频信号，避免对前级射频电路的影响，即时发生对外输出不匹配、负载连接不可靠、甚至没有接射频负载，通过设置对该射频功率放大器的保护电路可以增强其工作可靠性，并且不会对前级的增益放大和滤波造成损坏和影响。因此，优选的，射频功率放大器还包括对其加电工作进行保护的电源供电保护电路。所述第一级射频滤波器和所述第二级射频滤波器为结构相同的微带滤波器。进一步优选的，如图3所示，所述微带滤波器23包括设置在陶瓷基板上的U型的微波金属带，即第一微波金属带231至第七微波金属带237，这些微波金属带以第一微波金属带231为中心，横向依次间隔排列、开口方向交错分布且呈中心对称。其中第一微波金属带231开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带232和第三微波金属带233均开口向下，分别位于所述第一微波金属带231的左侧和右侧，第四微波金属带234开口向上且位于所述第二微波金属带232的左侧，第五微波金属带235开口向上且位于所述第三微波金属带233的右侧，第六微波金属带236开口向下且位于所述第四微波金属带234的左侧，所述第六微波金属带236的左分支上横向延伸为第一端口238，第七微波金属带237开口向下且位于所述第五微波金属带235的右侧，所述第七微波金属带237的右分支上横向延伸为第二端口239。优选的，对于第一微波金属带231，该金属带的宽度是0.22mm，左侧分支和右侧分支的长度相同，均为1.6mm，下部连接分支的长度为1.23mm，所述第一微波金属带231与所述第二微波金属带232、第三微波金属带233的间隔均为0.25mm。并且，所述第二微波金属带232与所述第四微波金属带234的间隔为0.22mm，所述第三微波金属带233与所述第五微波金属带235的间隔为0.22mm，所述第四微波金属带234与所述第六微波金属带236的间隔为0.1mm，所述第五微波金属带235与所述第七微波金属带237的间隔为0.1mm。进一步优选的，为了实现该滤波器的滤波特性，第六微波金属带236和第七微波金属带237在结构上还进一步做了优化。所述第六微波金属带236的右侧分支的长度是1.6mm，宽度是0.22mm，左侧分支的长度是1.4mm，宽度是0.23mm，上端连接分支分为两段，其中，位于左侧的第一连接段的长度是0.63mm，宽度是0.23mm，位于右侧的第二连接段的长度是0.62mm，宽度是0.22mm；所述第一端口238的长度是1.05mm，宽度是0.25mm，所述第一端口238的上边到所述上端连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.54mm。所述第七微波金属带的左侧分支的长度是1.6mm，宽度是0.22mm，右侧分支的长度是1.4mm，宽度是0.23mm，上端连接分支分为两段，其中，位于右侧的第一连接段的长度是0.63mm，宽度是0.23mm，位于左侧的第二连接段的长度是0.62mm，宽度是0.22mm；所述第二端口的长度是1.05mm，宽度是0.25mm，所述第二端口239的上边到所述上端连接分支的所述第一连接段的上边的距离是0.54mm。以上的这种结构设计是基于小尺寸条件下微带滤波器要达到的技术指标而设计的，所述微带滤波器的带通滤波范围是13.55GHz-14.7GHz，通带插入损耗≤6dB，带内波纹≤1dB，VSWR≤1.3，带外抑制：在10.95GHz-12.8GHz范围内≥50dBc，15.6GHz≥40dBc。另外，整个射频微带滤波器的长度只有11.87mm，高度小于2mm，这些微波金属带的厚度均为0.19mm，设置于陶瓷基板的厚度为0.254mm。可见该微带滤波器具有很小的体积结构，适用于小型化ODU发射通道的使用。进一步的，图4显示了该射频电路的实际电路组成图。其中包括混频器1，第一级射频滤波器21，第一级射频增益放大器31，第二级射频滤波器22，第二级射频增益放大器32和射频功率放大器33，以及腔体滤波器4。还可以看到，图4中的混频器1、第一级射频滤波器21、第一级射频增益放大器31横向分布，然后通过转弯微带线W0将第一级射频增益放大器31与竖向设置的第二级射频增益放大器32电连接，并且在转弯微带线W0与第二级射频增益放大器32之间还设置有匹配衰减器203。这样，第二级射频滤波器22，第二级射频增益放大器32和射频功率放大器33呈竖向分布，而在第二级射频增益放大器32和射频功率放大器33之间通过第一微带线W1电连接，而射频功率放大器33又通过第二微带线W2与腔体滤波器4电连接。图4显示的射频电路的这种空间布局使得整个射频电路通道呈现为反L型的结构，这种结构布局适应了小型化的设计需求，在有限的空间内最大限度了延长了射频电路的长度。并且，还进一步通过在该射频电路通道的两侧设置金属墙，从而使得从混频器到射频功率放大器，并且包括第二微带线W2在内被设置在一个连续且独立的金属腔体内，使得整个射频电路被该金属腔体所屏蔽，不会被外界的电磁干扰信号侵扰。以下图5至图7将对图4中的各个组成部分的放大视图进行具体说明。如图5所示，该混频器包括芯片NC17104C-620，其中该芯片的本振输入端图示LO端通过金带JD1电连接本振滤波器的输出端101。中频输入端图示IF端通过金丝JS1电连接第一匹配衰减芯片TGL4201的输出端，第一匹配衰减芯片TGL4201的输入端也通过金丝JS2连接中频电路的输出端102。射频输出端图示RF端通过金带JD2电连接第二匹配衰减芯片TGL4201的输入端，第二匹配衰减芯片TGL4201的输出端则又通过金带JD3电连接第一级射频滤波器具体如图3所示的第一端口103。优选的，这里的金丝的直径为25um，金带的宽度为75um，在射频电路中通过金丝和金带进行电连接，能够提高射频信号的传导性，减少传输损耗，尽管会增加成本，但是有利于保证射频通道电路的射频特性。并且可以看到，优选的，第一匹配衰减芯片TGL4201两端的金丝都是各有两条，这样既可以保证射频传导特性，也能最大限度的降低成本。图5中的金丝的直径和金带的宽度同样适用于以下图6和图7中的金丝的直径和金带的宽度。优选的，所述中频信号的频率范围是950MHz-1700MHz，所述本振信号的频率是12.8GHz，所述射频信号的频率范围是13.75GHz-14.5GHz。进一步的，如图6所示，图6中显示的是第一级射频增益放大器电路组成。其中包括芯片CHA3666，其中该芯片的射频输入端图中IN端通过金带JD4电连接第三匹配衰减芯片TGL4201的输出端，第三匹配衰减芯片TGL4201的输入端通过金带JD5连接所述第一级射频滤波器的第二端口104。该芯片的射频输出端图中OUT端通过金带JD6连接所述转弯微带线W0的第一端口105，芯片CHA3666的输端口P1通过金丝JS3接地连接，芯片CHA3666的端口P2通过金丝JS4接地连接。所述芯片CHA3666的端口D1通过金丝JS5与第一电容DR1电连接，所述第一电容DR1通过两根金丝JS6与第三电容DR3电连接，对应的，所述芯片CHA3666的端口D2通过金丝JS7与第二电容DR2电连接，所述第二电容DR2通过两根金丝JS8与第三电容DR3电连接。所述第三电容DR3通过两根金丝JS9与直流4V供电电源端106电连接。图4中的第二级射频增益放大器具有和图6中所示电路相同的电路组成，此处不再赘述。可以看出，图6中采用芯片CHA3666为核心作为增益放大器，除了该芯片以外还包括上述贴片电容，这些电容占据较小的体积，因此使得整个增益放大器的体积也较小，适应小型化的需求。另外，通过金丝和金带来连接芯片与这些电容，以及电容之间也通过金丝和金带电连接，能够增强该芯片与这些电容电连接的射频传导性，保证了增益放大的射频特性。进一步的，如图7所示，图7中显示的是射频功率放大器电路组成。其中，所述射频功率放大器包括芯片TGA2533，其中该芯片1号输入端通过金带JD7与图4中的所述第一微带线W1的第二端口108电连接，5号端口与6号端口分别通过金丝JS10，JS11和第四电容DR4电连接，所述第四电容DR4通过两根金丝JS12与第六电容DR6电连接，7号端口通过两根金丝JS13与第五电容DR5电连接，所述第五电容DR5通过两根金丝JS14与所述第六电容DR6电连接，8号输出端通过金带JD8与图4中所述第二微带线W2的第一端口109电连接，11号端口通过两根金丝JS15与第七电容DR7电连接，所述第七电容DR7通过两根金丝JS16与第八电容DR8电连接，所述第八电容DR8通过两根金丝JS17与直流6V输出端110连接，且所述第八电容DR8通过两根金丝与所述第六电容DR6电连接图中未标示，12号端口通过金丝JS18与第九电容DR9电连接，13号端口通过金丝JS19与所述第九电容DR9电连接，且所述第九电容DR9通过两根金丝JS20与所述第八电容DR8电连接，14号输出端通过金丝JS21与电容DR10电连接，15号端口通过金丝JS22与电容DR10电连接，16号端口通过金丝JS23与电容DR10连接，所述电容DR10通过两根金丝JS24与电容DR11电连接，所述电容DR11通过两根金丝JS25与直流-0.55V输出端111电连接。可以看出，采用芯片TGA2533为核心作为射频功率放大器，除了该芯片以外还包括上述贴片电容，这些电容占据较小的体积，因此使得整个射频功率放大器的体积也较小，适应小型化的需求。另外，通过金丝和金带来连接芯片TGA2533与这些电容，以及电容之间也通过金丝和金带电连接，能够增强该芯片与这些电容电连接的射频传导性，保证了功率放大的射频特性。结合上述电路组成说明，这里选用芯片CH3666作为增益放大器，是因为经过混频器、匹配衰减器、第一级射频微带滤波器之后，得到的射频信号的功率在-20dBm左右，而最后到达腔体滤波器射频信号功率要在25dBm附近，这里就需要有45dB的射频通道功率放大。芯片CH3666的增益值为20dB，输出功率的1dB压缩点P1dB最小为15dBm，因此经过CH3666作为第一级增益放大后，对于-20dBm的射频输入信号，输出为0dBm，远小于1dB压缩点对应的15dBm，而对于经过第一级增益放大后，又经过了第二级射频滤波器以及相应的匹配衰减器，那么该射频信号的功率到达第二级射频增益放大器芯片CH3666时，其功率为-10dBm左右，其中第二级射频滤波器为微带滤波器，有6dB的通道衰减，再加上两个匹配衰减器各有3dB的通道衰减，因此在-10dBm或-9dBm，这样再经过第二级射频增益放大器芯片CH3666后，输出的射频信号功率为10dBm，仍然小于1dB压缩点对应的15dBm，这样仍然保证了射频信号的完整性和良好性。但是如果这个时候再用一级增益放大，即使用芯片CH3666来实现第三级增益放大，由于其输入功率为10dBm，当有20dB的增益时，输出为30dBm，显然这已经超出了1dB压缩点对应的15dBm，明显造成信号失真。因此这里选用射频功率放大器芯片TGA2533，该芯片的输出功率的1dB压缩点对应为34dBm，对应的输出功率不应大于该值，而该芯片的放大增益有24-28dB的范围，因此当由第二级射频增益放大器芯片CH3666输出10dBm功率的射频信号后，可以直接输入到射频功率放大器芯片TGA2533进行功率放大，输出的射频信号功率为34-38dBm，其中34dBm正好是该芯片的输出功率的1dB压缩点，因此正好满足输出的射频信号功率最大，同时也能够保持良好的信号完整性。另外，这里两级射频滤波器为结构相同的微带滤波器，第一射频滤波器是对混频后得到的射频信号进行带通滤波，抑制混频后的交调产物，第二射频滤波器设置在第一射频增益放大器之后，主要是对增益放大可能产生的非线性失真而造成的杂波成分进行抑制滤波，克服增益放大带来的频率成分的改变，抑制增益放大同步带来的带外信号的功率增加。而在射频功率放大器之后设置腔体滤波器的目的则是尽可能减少插入损耗的前提下，获得较大的带外抑制。优选的，这里的腔体滤波器的带内插入损耗≤0.5dB，明显小于微带滤波器的6dB的插入损耗，带外抑制是：在10.95GHz-12.75GHz范围内带外抑制比是50dB，在14.7GHz的带外抑制比是30dB。进一步优选的，所述腔体滤波器的尺寸为50mm×13.5mm×8.73mm，带通为13.75GHz-14.5GHz，带内插损≤0.5dB，带内波动≤±0.2dB。进一步的，可以看出图7中为芯片TGA2533供电包括6V和-0.55V两个电压，还需要对这两个电压进行供电保护，防止单一电压作用到TGA2533。如图8所示，显示了负压电路组成，该电路包括芯片LTC1983ES6-5和芯片AD8615AUJZ，所述稳压5V电压通过串联的电感L15和L14电连接所述芯片LTC1983ES6-5的电源端。该电源端还电连接旁路电容C82而接地，该芯片的电压输出端则通过分压网络连接芯片AD8615AUJZ。具体而言，芯片LTC1983ES6-5的电压输出端串接电阻R35后接入芯片AD8615AUJZ的第3引脚，并且该引脚还电连接另一电阻R36，电阻R36的另一端接地，而芯片LTC1983ES6-5的电压输出端还直接与芯片AD8615AUJZ的第2引脚电连接。芯片AD8615AUJZ的第1引脚和第4引脚电连接，并且第4引脚作为电压输出引脚还连接有旁路电容C86和C85，C85＝0.1uF，C86＝1nF。该第4引脚输出电压即为向射频功率放大器输出的所述负极性电压。由芯片AD8615AUJZ输出负极性电压，所述负极性电压为-0.55V。进一步的，如图9所示，显示了6V电压输出保护电路组成，包括三极管MMBT3904和PMOS管IRF7210PBF，所述稳压5V串接一电阻R34后电连接所述三极管MMBT3904的基极，所述三极管MMBT3904的发射极接地，集电极串接第一分压电阻R31和第二分压电阻R30，所述第一分压电阻R31和第二分压电阻R30之间电连接所述PMOS管IRF7210PBF的栅极，所述第二分压电阻R30的另一端电连接所述PMOS管IRF7210PBF的源极，并且所述稳压6V也电连接所述PMOS管IRF7210PBF的源极，所述PMOS管IRF7210PBF的漏极电连接所述射频功率放大器的电源正极接线端。优选的，所述第一分压电阻和第二分压电阻的阻值均为50kΩ。这里当稳压5V正常时，三极管MMBT3904导通，稳压6V通过第一分压电阻R30和第二分压电阻R31，使得PMOS管IRF7210PBF的栅极G和源极S间产生压差，从而导通稳压6V电至漏级D，进而向射频功率放大器输出6V电压，若稳压5V电未加上，则三极管MMBT3904不导通，分压电阻31将不起作用，栅极G和源极S间无压差，PMOS管IRF7210PBF不导通，漏级D不会输出稳压6V电压。另外，这里选用的所述射频功率放大器为TGA2533，该芯片的需要两种极性的电源供电，分别是6V和-0.55V。由此可以进一步看出，针对射频功率放大器芯片TGA2533的双极性电源供电，其负电压-0.55V由稳压5V经芯片LTC1983ES6-5和芯片AD8615AUJZ进行转压后分压得到，这个负压在没有稳压5V施加的情况下不会产生，同时由于6V电压输出保护电路的作用，给芯片TGA2533供电的稳压6V也不会作用到该芯片上，由此确保了对射频功率放大器芯片TGA2533双极性供电的同步保护特性。基于以上实施例，本发明公开了一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，包括混频器，所述混频器包括输入中频信号的中频输入端、输入本振信号的本振输入端，以及混频后输出射频信号的射频输出端，所述射频输出端电连接用于抑制所述射频信号中的交调杂波的射频滤波器，所述射频滤波器的后一级电连接用于对所述射频信号进行放大的射频放大器，在所述射频放大器的后一级还电连接用于对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器。还进一步公开了上述电路中使用的芯片及接口网络的组成。该电路应用于卫星通信发射通道，能够对射频信号频率进行更改，同时具有稳定可靠、节省功耗、体积较小、成本较低等优点。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围内。

权利要求：1.一种用于小型化ODU发射通道的射频电路，包括混频器，其特征在于，所述混频器包括输入中频信号的中频输入端、输入本振信号的本振输入端，以及混频后输出射频信号的射频输出端，所述射频输出端电连接用于抑制所述射频信号中的交调杂波的射频滤波器，所述射频滤波器的后一级电连接用于对所述射频信号进行放大的射频放大器，在所述射频放大器的后一级还电连接用于对所述射频信号进行带外抑制的腔体滤波器。2.根据权利要求1所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述射频滤波器包括第一级射频滤波器和第二级射频滤波器。3.根据权利要求2所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述射频放大器包括第一级射频增益放大器、第二级射频增益放大器和射频功率放大器，所述混频器的所述射频输出端电连接所述第一级射频滤波器后，依次连接所述第一级射频增益放大器、所述第二级射频滤波器、所述第二级射频增益放大器和所述射频功率放大器。4.根据权利要求3所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述混频器的射频输出端与所述第一级射频滤波器之间，所述第一级射频滤波器与所述第一级射频增益放大器之间，所述第一级射频增益放大器与所述射频第二级射频滤波器之间，以及所述第二级射频滤波器与所述第二级射频增益放大器之间均串接有匹配衰减器。5.根据权利要求4所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述第一级射频滤波器和所述第二级射频滤波器为结构相同的微带滤波器。6.根据权利要求5所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述微带滤波器包括设置在陶瓷基板上的U型的微波金属带，即第一微波金属带至第七微波金属带，并且以所述第一微波金属带为中心，横向依次间隔排列、开口方向交错分布且呈中心对称，其中第一微波金属带开口向上且位于对称中心，所述第二微波金属带和第三微波金属带均开口向下，分别位于所述第一微波金属带的左侧和右侧，第四微波金属带开口向上且位于所述第二微波金属带的左侧，第五微波金属带开口向上且位于所述第三微波金属带的右侧，第六微波金属带开口向下且位于所述第四微波金属带的左侧，所述第六微波金属带的左分支上横向延伸为第一端口，第七微波金属带开口向下且位于所述第五微波金属带的右侧，所述第七微波金属带的右分支上横向延伸为第二端口。7.根据权利要求6所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述混频器包括芯片NC17104C-620，所述中频信号的频率范围是950MHz-1700MHz，所述本振信号的频率是12.8GHz，所述射频信号的频率范围是13.75GHz-14.5GHz，所述芯片NC17104C-620的中频输入端也电连接有匹配衰减器而输入所述中频信号，所述匹配衰减器均为芯片TGL4201。8.根据权利要求7所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述第一级射频增益放大器和第二级射频增益放大器均包括芯片CHA3666。9.根据权利要求8所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述射频功率放大器包括芯片TGA2533，以及为所述芯片TGA2533提供双极性电压供电的电源电路。10.根据权利要求9所述的用于小型化ODU发射通道的射频电路，其特征在于，所述腔体滤波器的尺寸为50mm×13.5mm×8.73mm，带通范围为13.75GHz-14.5GHz，带内插损≤0.5dB，带内波动≤±0.2dB。

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