申请/专利权人：深圳市博亿精科科技有限公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-01-23

公开（公告）号：CN117039827B

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04;G01D11/00;H03K17/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.23#授权;2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开

摘要：本发明公开了一种具有保护功能的PNP输出电路，应用于PNP输出的传感器中，包括：PNP输出电路，输入端与主控电路连接，输出端与外部设备连接；瞬态电压抑制电路，输入端与PNP输出电路的输出端连接，输出端与外部设备连接；状态保持电路，输入端与主控电路连接，输出端与保护电路的输入端连接，当外部设备正常工作时，保持截止状态；当外部设备短路时，保持导通状态；保护电路，输出端与PNP输出电路的输入端连接，当外部设备短路时，用于对流经PNP输出电路的电流进行分流到地。本申请通过保护电路在外部设备短路时实现PNP输出电路快速断开输出，并且通过瞬态电压抑制电路实现对外部设备产生的静电或高电压进行有效的抑制作用，提高了传感器的使用寿命。

主权项：1.一种具有保护功能的PNP输出电路，应用于PNP输出的传感器中，其特征在于，包括：PNP输出电路，输入端与主控电路连接，输出端与外部设备连接，用于接收所述主控电路输出的高电平信号或低电平信号，并将所述高电平信号或低电平信号输出给所述外部设备；其中，所述PNP输出电路包括：第一电阻、NPN型三极管和PNP型三极管；所述NPN型三极管的基极与所述主控电路连接，所述NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述NPN型三极管的集电极通过偏置电路与所述PNP型三极管的基极连接；所述第一电阻的另一端接地；所述PNP型三极管的发射极与外部电源连接，所述PNP型三极管的集电极与所述外部设备连接；瞬态电压抑制电路，输入端与所述PNP输出电路的输出端连接，输出端与所述外部设备连接，用于抑制所述外部设备产生的静电或高电压；其中，所述瞬态电压抑制电路包括：第一双向二极管和第二双向二极管；所述第一双向二极管的一端与所述PNP型三极管的发射极连接，所述第一双向二极管的另一端与所述第二双向二极管的一端连接，所述第二双向二极管的另一端与所述第一电阻的另一端连接并接地；保护电路，输出端与所述PNP输出电路的输入端连接，当所述外部设备短路时，用于对流经所述PNP输出电路的电流进行分流到地，并使所述PNP输出电路关闭；其中，所述保护电路包括：PMOS管、第一二极管、第四电阻和第五电阻；所述PMOS管的源极与所述PNP型三极管的发射极连接，所述PMOS管的栅极与所述第一二极管的阴极连接，所述PMOS管的漏极与所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述NPN型三极管的集电极连接；所述第一二极管的阳极与所述NPN型三极管的集电极连接；所述第四电阻的两端分别与所述PMOS管的源极和所述PMOS管的漏极连接；状态保持电路，其中，所述状态保持电路包括：第三电阻和电容；所述电容的一端与所述PNP输出电路中的所述PNP型三极管的发射极连接，所述电容的另一端与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述瞬态电压抑制电路的所述第二双向二极管的一端连接；所述PMOS管的栅极还与所述电容的另一端、所述第三电阻的一端连接。

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