申请/专利权人：华远电气股份有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117674799A

主分类号：H03K17/567

分类号：H03K17/567;H03K17/78;H03K17/08;H03K17/14;H03K7/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明公开一种由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，包括：驱动光耦OP1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和IGBT1，三极管Q1为PNP三极管，电阻R2的阻值小于电阻R1，驱动光耦OP1的原边与PWM脉冲输入端电性连接，驱动光耦OP1的副边的集电极分别与电阻R1的一端、三极管Q1的基极电性连接，驱动光耦OP1的副边的发射极、三极管Q1的集电极分别与0V端电性连接，电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端、IGBT1的栅极电性连接，电阻R2的另一端与三极管Q1的发射极电性连接，电阻R3的另一端与0V端连接。本发明的有益效果在于：避免关断回路引起的电流造成驱动光耦损坏。

主权项：1.一种由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路，其特征在于，包括：驱动光耦OP1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1和IGBT1，所述三极管Q1为PNP三极管，所述电阻R2的阻值小于电阻R1，所述驱动光耦OP1的原边与PWM脉冲输入端电性连接，所述驱动光耦OP1的副边的集电极分别与所述电阻R1的一端、三极管Q1的基极电性连接，所述驱动光耦OP1的副边的发射极、三极管Q1的集电极分别与0V端电性连接，所述电阻R1的另一端分别与电阻R2的一端、电阻R3的一端、IGBT1的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端与所述三极管Q1的发射极电性连接，所述电阻R3的另一端与0V端电性连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华远电气股份有限公司 一种由PNP三极管控制的IGBT快速关断电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD