申请/专利权人：国镓芯科(成都)半导体科技有限公司

申请日：2023-11-08

公开（公告）日：2024-01-26

公开（公告）号：CN117212684B

主分类号：F17C9/02

分类号：F17C9/02;F17C13/00;F17C13/02;F17C13/04;F16K1/38;F16K1/20;F16K31/06;F16L53/35

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.26#授权;2023.12.29#实质审查的生效;2023.12.12#公开

摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，具体公开了基于半导体晶圆材料制造用原料气输送系统，包括输送单元，其中，输送单元包括相互连通的收纳组件和输送组件，收纳组件包括收纳容器；输送组件包括输送通道、加热模块和监测模块，加热模块设置在输送通道上，加热模块包括连接管、旁支管、电热管和阀门组件；连接管的两端均通过卡接部与输送通道相卡接并连通，且卡接部的径向尺寸小于连接管的径向尺寸；旁支管设置在连接管的四周，且旁支管的输入端与连接管相连通，而位于其输入端下游的输出端与输送通道相连通；简化制备流程，制备氮化镓时更为方便，并保障氮化镓成品质量。

主权项：1.基于半导体晶圆材料制造用原料气输送系统，包括输送单元，其特征在于；所述输送单元包括相互连通的收纳组件（1）和输送组件（2）；所述收纳组件（1）包括收纳容器（10），所述输送组件（2）包括输送通道（20）、加热模块（21）和监测模块（22）；其中，所述加热模块（21）包括连接管（210）、旁支管（211）、电热管（212）和阀门组件（213）；所述连接管（210）的两端均通过卡接部与输送通道（20）相卡接并连通，且卡接部的径向尺寸小于连接管（210）的径向尺寸；所述旁支管（211）设置在连接管（210）的四周，且所述旁支管（211）的输入端与连接管（210）相连通，而位于其输入端下游的输出端与输送通道（20）相连通；所述电热管（212）呈螺旋状缠绕在旁支管（211）外部；所述阀门组件（213）设于连接管（210）内，位于连接管（210）前后两端的两卡接部之间通过其形成第一流道腔，而旁支管（211）与位于连接管（210）前端的卡接部之间通过其形成第二流道腔；所述阀门组件（213）包括固定座（2130）、阀芯（2131）、滑动座（2132）、扩展件、阀座（2134）、阀板（2135）以及阻拦阀圈（2136），所述固定座（2130）通过其四周的连杆安装在位于连接管（210）前端的卡接部内部中间，且固定座（2130）的一侧还设有电磁铁（21300），所述阀芯（2131）同轴设置在连接管（210）内，且其一端与固定座（2130）相连接，而远离固定座（2130）的另一端与阀座（2134）相连接，所述滑动座（2132）滑动套设在阀芯（2131）上，且其内部四周沿轴向方向开设有与第一流道腔相连通的通孔，在滑动座（2132）的外环面还设有用于对第二流道腔进行封堵的封堵部（21320），所述滑动座（2132）对应电磁铁（21300）的一侧设有磁接部（21321），且滑动座（2132）与固定座（2130）之间还设有压缩弹簧（214），所述阀板（2135）设有若干个，若干个所述阀板（2135）铰接在阀座（2134）的四周，并与其拼接形成圆锥形结构，且若干个所述阀板（2135）与滑动座（2132）之间通过扩展件相连接，所述阻拦阀圈（2136）贴设在位于连接管（210）后端的卡接部内壁上，且其与若干阀板（2135）之间形成与第一流道腔相连通的环形流道间隙；滑动座（2132）滑动后通过扩展件对若干阀瓣进行扩张，使其与阻拦阀圈（2136）相抵接并对第一流道腔进行封堵；所述扩展件包括若干个撑杆（2133），若干撑杆（2133）与阀板（2135）一一对应，且任一撑杆（2133）的一端铰接在滑动座（2132）上，而另一端与其对应的阀板（2135）相铰接；其中，在任两个相邻阀板（2135）之间还设有辅助密封件（40），辅助密封件（40）包括开设在两个相邻的阀板（2135）相对的侧面的容纳槽（400），位于两个容纳槽（400）之间的密封垫（401），设于密封垫（401）的两侧且延伸至两个容纳槽（400）内的边缘位置处的滑杆（402），且滑杆（402）与容纳槽（400）滑动配合。

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