申请/专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司;上海芯刻微材料技术有限责任公司

申请日：2021-08-25

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN113820919B

主分类号：G03F7/004

分类号：G03F7/004;C07C303/32;C07C309/42;C07C309/12;C07C381/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2022.01.07#实质审查的生效;2021.12.21#公开

摘要：本发明公开了一种ArF光源干法光刻用多鎓盐型光产酸剂的应用。该光产酸剂为具有阴离子和鎓离子的鎓盐，所述阴离子具有式I所示的结构，所述鎓离子具有式A或式B所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性。包含本发明鎓盐的光刻胶具有更好的分辨率、灵敏度和线宽粗糙度。

主权项：1.一种鎓盐作为光产酸剂在光刻胶中的应用，其特征在于，所述鎓盐具有阴离子和鎓离子，所述阴离子具有式I所示的结构，所述鎓离子具有式A或式B所示的结构，所述鎓离子的个数使所述鎓盐的电荷保持中性： 其中，R1、R2、R3和R4分别独立地为H或F；L1和L2为其中a端与苯环相连；p和q分别独立地为0、1、2、3或4；X为其中n1、n2和n3分别独立地为1、2、3、4或5；m1、m2和m3分别独立地为0、1、2、3或4；Ra和Rb分别独立地为卤素、C1-20烷基或C1-20烷氧基；Ra和Rb的个数分别独立地为0至5个。

全文数据：

权利要求：

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