申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2020-10-15

公开（公告）日：2024-02-02

公开（公告）号：CN112214805B

主分类号：G06F21/79

分类号：G06F21/79;G06F12/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.02#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于混合DRAM‑NVM内存的安全ORAM内存及其访问方法，属于信息安全领域，包括：以混合的DRAM和NVM作为外部内存，将Stash、DRAM和NVM以ORAMTree的形式进行组织；ORAMTree的上层节点被缓存在Stash中，ORAMTree的中层节点被映射到DRAM中，ORAMTree的下层节点被映射到NVM中；NVM中的每个节点中包含Z个真实数据插槽、S个假数据插槽和1个元数据插槽；DRAM中的每个节点包含Z个真实数据插槽、M个遮掩数据插槽、D个假数据插槽和1个元数据插槽；遮掩数据插槽用于存储备份数据块，备份数据块为存储于NVM中热度最大的部分真数据块的副本；Stash中的每个节点用于缓存1个真数据块或者备份数据块；S＝M+D。本发明能够减少NVM的写入流量以提升其寿命，并降低热数据块的访问延迟。

主权项：1.一种基于混合DRAM-NVM内存的安全ORAM内存，其特征在于，以混合的DRAM和NVM作为外部内存，将Stash、DRAM和NVM以ORAMTree的形式进行组织；所述ORAMTree的上层节点被缓存在所述Stash中，所述ORAMTree的中层节点被映射到所述DRAM中，所述ORAMTree的下层节点被映射到所述NVM中；所述NVM中的每个节点中包含Z个真实数据插槽、S个假数据插槽和1个元数据插槽；所述DRAM中的每个节点包含Z个真实数据插槽、M个遮掩数据插槽、D个假数据插槽和1个元数据插槽；所述真实数据插槽用于存储真数据块，所述假数据插槽用于存储假数据块，所述遮掩数据插槽用于存储备份数据块，所述元数据插槽用于存储元数据；所述备份数据块为存储于所述NVM中热度最大的部分真数据块的副本；所述Stash中的每个节点用于缓存1个真数据块或者备份数据块；其中，所述上层节点为最靠近根节点的一层或多层节点，所述下层节点为最靠近叶节点的一层或多层节点，所述中层节点为所述上层节点和所述下层节点之间的节点；Z、S、M和D均为预设的正整数，且S＝M+D。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 基于混合DRAM-NVM内存的安全ORAM内存及其访问方法

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