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【发明公布】一种具有抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构_深圳新声半导体有限公司_202311854080.2 

申请/专利权人:深圳新声半导体有限公司

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-02-06

公开(公告)号:CN117526896A

主分类号:H03H9/25

分类号:H03H9/25;H03H3/08;H03H9/02;H03H9/64

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要:本发明提供一种具有抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构,叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器;第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指,第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指;温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面;抑制杂波单元为设置在温度补偿层中的金属结构,抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的余弦波形。本发明提供一种结构简单,成本更低,加工更容易的声表面波器件,通过在叉指换能器的电极指两端上方设置杂波抑制单元,每一端的杂波抑制单元连接形成连续周期的余弦波形结构,抑制杂波,优化声表面波器件性能。

主权项:1.一种具有抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构,其特征在于,包括:衬底;叉指换能器,所述叉指换能器设置在衬底上,所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器;所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指,所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指;温度补偿层,所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面;抑制杂波单元,所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层中的金属结构,所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的余弦波形,第一方向平行于所述衬底所在平面。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 深圳新声半导体有限公司 一种具有抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构

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