申请/专利权人：哈尔滨工程大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN117538304A

主分类号：G01N21/64

分类号：G01N21/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要：本发明公开了一种基于荧光猝灭机制的单层石墨烯断裂行为研究方法，主要涉及石墨烯断裂行为分析技术领域；包括步骤：S1、制备表面涂有荧光染料的SBS薄膜；S2、将石墨烯转移到SBS薄膜上；S3、在真空干燥箱中进行干燥；S4、将样品固定在拉伸仪上进行拉伸；S5、观察处理样品拉伸过程中的图像；本发明基于荧光猝灭原理和柔性基底拉伸过程中的应力传递，提供了一种可视化的石墨烯断裂行为的研究方法，以解决现存的研究方法在大规模研究和生产应用中存在的问题。

主权项：1.一种基于荧光猝灭机制的单层石墨烯断裂行为研究方法，其特征是：包括步骤：S1、制备表面涂有荧光染料的SBS薄膜；S2、将石墨烯转移到SBS薄膜上；S3、在真空干燥箱中进行干燥；S4、将样品固定在拉伸仪上进行拉伸；S5、观察处理样品拉伸过程中的图像。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工程大学 一种基于荧光猝灭机制的单层石墨烯断裂行为研究方法

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