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【发明公布】用于PVD腔室并具有高沉积环及更小直径静电吸盘(ESC)的处理套件_应用材料公司_202280043113.2 

申请/专利权人:应用材料公司

申请日:2022-05-23

公开(公告)日:2024-02-09

公开(公告)号:CN117545872A

主分类号:C23C14/50

分类号:C23C14/50

优先权:["20210618 US 17/351,535"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开

摘要:本文中提供了处理套件的实施例。在一些实施例中,一种处理套件,包括:沉积环,被配置为设置在基板支撑件上,沉积环包含:环形带,具有上表面和下表面,下表面包括在径向内部部分与径向外部部分之间的台阶,台阶从径向内部部分向下延伸至径向外部部分;内唇缘,从环形带的上表面向上延伸并且与环形带的内表面相邻,并且其中内唇缘的外表面从内唇缘的上表面径向向外和向下延伸到环形带的上表面;通道,设置在环形带的径向外侧;以及外唇缘,向上延伸并设置在通道的径向外侧。

主权项:1.一种处理套件,包含:沉积环,所述沉积环被配置为设置在基板支撑件上,所述沉积环包含:环形带,所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下凸缘上,所述环形带具有上表面和下表面,所述下表面包括在径向内部部分与径向外部部分之间的台阶,所述台阶从所述径向内部部分向下延伸到所述径向外部部分;内唇缘,所述内唇缘从所述环形带的所述上表面向上延伸并且与所述环形带的内表面相邻,其中所述内唇缘的内表面和所述环形带的所述内表面一起形成所述沉积环的中心开口,并且其中所述内唇缘的外表面从所述内唇缘的上表面径向向外和向下延伸到所述环形带的所述上表面;通道,所述通道设置在所述环形带的径向外侧;以及外唇缘,所述外唇缘向上延伸并设置在所述通道的径向外侧,其中所述外唇缘的上表面和所述通道设置在所述环形带的所述下表面下方。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 应用材料公司 用于PVD腔室并具有高沉积环及更小直径静电吸盘(ESC)的处理套件

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