申请/专利权人：南通大学

申请日：2021-11-10

公开（公告）日：2024-02-09

公开（公告）号：CN114083430B

主分类号：B24B37/08

分类号：B24B37/08;B24B37/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.02.09#授权;2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：本发明提出一种精确获得晶片双面研磨中上下面去除量的有效方法，属于晶体加工技术。本发明通过使用斜断面晶片与正常晶片的同步研磨，待研磨完成后，测量斜断面上下面的边长度值，与研磨前的斜断面上下面边长度值比较计算即可精确得到晶片上下面的去除量。本方法工艺简单易操作，测量准确可靠。

主权项：1.一种精确获得晶片双面研磨中上下面去除量的有效方法，其特征在于，包括下述步骤：1选择同质晶片加工为圆形，其直径略小于双面研磨用的游星轮上漏液圆孔的孔径；2将加工好的圆形晶片一侧磨出斜面，所述斜面正视图为长方形，斜面与竖直方向的角度为30-45°，加工好的侧面呈斜面的同质晶片作为参考晶片；3在通用双面研磨设备上，游星轮大孔放置待研磨晶片，任一漏液孔内放置所述的参考晶片，进行晶片双面研磨；4待设定抛光时间完成，取下研磨晶片及参考晶片；5根据参考晶片上下面径向尺寸变化准确算出晶片上下面去除量，研磨片上侧面去除量为下侧面去除量为其中，H为双面研磨前参考晶片的厚度，a为研磨前上侧面研磨斜面至对侧的径向最大值，b为研磨后上侧面研磨斜面至对侧的径向最大值，c为研磨后下侧面研磨斜面至对侧的径向最大值，d为研磨前下侧面研磨斜面至对侧的径向最大值，h上为研磨片上侧面去除量，h下为研磨片下侧面去除量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南通大学 一种精确获得晶片双面研磨中上下面去除量的有效方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD