买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】范德华异质结室温双色探测器及制备方法_上海交通大学_202311630533.3 

申请/专利权人:上海交通大学

申请日:2023-11-30

公开(公告)日:2024-02-23

公开(公告)号:CN117594689A

主分类号:H01L31/112

分类号:H01L31/112;H01L31/18;H01L31/02;H01L31/032

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要:本发明提供了一种范德华异质结室温双色探测器及制备方法,包括:衬底、黑磷层、2H二碲化钼层、第一石墨烯层、六方氮化硼层、第二石墨烯层、源极或漏级和栅极;所述衬底上设置有黑磷层、源极或漏极和栅极;所述黑磷层上设置有2H二碲化钼层,所述2H二碲化钼层上设置有第一石墨烯层,所述第一石墨烯层上设置有六方氮化硼层,所述六方氮化硼层上设置有第二石墨烯层,所述第一石墨烯层的一端还设置在源极或漏极上,所述第二石墨烯层的一端还设置在栅极上。本发明的黑磷具有光学各向异性,栅极电压可调控黑磷和2H二碲化钼中产生的光电流组分,实现栅极可调的偏振灵敏度。

主权项:1.一种范德华异质结室温双色探测器,其特征在于,包括:衬底、黑磷层、2H二碲化钼层、第一石墨烯层、六方氮化硼层、第二石墨烯层、源极或漏级和栅极;所述衬底上设置有黑磷层、源极或漏极和栅极;所述黑磷层上设置有2H二碲化钼层,所述2H二碲化钼层上设置有第一石墨烯层,所述第一石墨烯层上设置有六方氮化硼层,所述六方氮化硼层上设置有第二石墨烯层,所述第一石墨烯层的一端还设置在源极或漏极上,所述第二石墨烯层的一端还设置在栅极上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海交通大学 范德华异质结室温双色探测器及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。