申请/专利权人：致真存储(北京)科技有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117596892A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/20;H10N50/10;H10N50/85;G11C11/16;G06F7/575;G06F15/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本发明提供一种存储单元结构、存储阵列结构及进位运算的方法，属于半导体器件领域。该存储单元结构包括第一SOT底电极层、第二SOT底电极层以及磁隧道结MTJ，第一SOT底电极层和第二SOT底电极层交叉布置，磁隧道结MTJ位于第一SOT底电极层和第二SOT底电极层交叉的重叠区域，且磁隧道结MTJ的中心不在重叠区域的对角线，第一SOT底电极层包括第一通电端口，用于决定通过第一SOT底电极层的电流方向，第二SOT底电极层包括第二通电端口，用于决定通过第二SOT底电极层的电流方向。本发明所提供的存储单元结构契合Nand‑like或十字型工艺结构，两个SOT底电极层可以直接接触或为一体结构，不需要中间介质的间隔，简化了制作工艺，并缩小了器件体积，还可以实现存算一体。

主权项：1.一种存储单元结构，其特征在于，所述存储单元结构包括第一SOT底电极层、第二SOT底电极层以及磁隧道结MTJ，所述第一SOT底电极层和所述第二SOT底电极层交叉布置，所述磁隧道结MTJ位于所述第一SOT底电极层和所述第二SOT底电极层交叉的重叠区域，且所述磁隧道结MTJ的中心不在所述重叠区域对角线上，所述第一SOT底电极层设置有第一通电端口，以确定所述第一SOT底电极层的电流方向，所述第二SOT底电极层设置有第二通电端口，以确定所述第二SOT底电极层的电流方向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 致真存储(北京)科技有限公司 存储单元结构、存储阵列结构及进位运算的方法

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