申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2020-04-03

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN113785395B

主分类号：H10B43/27

分类号：H10B43/27;H10B43/10;H10B43/35;H01L21/768

优先权：["20190509 US 16/407,504"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.10#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开

摘要：一种用于形成存储器阵列的方法包括在衬底顶上形成导电层，其中所述导电层中包括开口。绝缘体层在所述导电层顶上形成，且所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料。包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠形成在所述绝缘体层上方。形成包括沟道材料的延伸穿过所述绝缘层和所述字线层的串。所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料。公开了与方法无关的结构。

主权项：1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：在衬底顶上形成导电层，所述导电层中包括开口；在所述导电层顶上形成绝缘体层，所述绝缘体层包括向下延伸到所述导电层中的所述开口中的绝缘体材料；在所述绝缘体层上方形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的堆叠；形成包括沟道材料的穿过所述绝缘层和所述字线层的串，所述串的所述沟道材料直接电耦合到所述导电层中的导电材料；以及所述导电层中的所述开口中的多个开口和其中的所述绝缘体材料在水平横截面中沿周向围绕所述串中的个别串相对于彼此侧向间隔开。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

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