申请/专利权人：芯动微电子科技(珠海)有限公司

申请日：2022-08-09

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117636946A

主分类号：G11C11/4076

分类号：G11C11/4076;G11C7/22;G11C7/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种高带宽DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法。该高带宽DDR双列直插式存储模块包括第一子通道、第二子通道、分频时钟锁存驱动器和组合数据缓冲器，其中，每个子通道包括第一伪通道和第二伪通道，每个伪通道包括多个DRAM芯片颗粒；分频时钟锁存驱动器用于响应于主机发送的指令确定指令模式，并根据指令模式将指令发送至第一伪通道和或第二伪通道；组合数据缓冲器用于将第一伪通道和第二伪通道的数据进行交织。本发明无需改变原有的指令发送方式，分频时钟锁存驱动器响应于接收到的指令确定不同的指令模式，将指令同时或分别发送至多个伪通道，实现数据更快速有效地读取。

主权项：1.一种高带宽DDR双列直插式存储模块，其特征在于，包括：第一子通道、第二子通道、分频时钟锁存驱动器和组合数据缓冲器，其中，每个所述子通道包括第一伪通道和第二伪通道，每个伪通道包括多个DRAM芯片颗粒；所述分频时钟锁存驱动器用于响应于主机发送的指令确定指令模式，并根据所述指令模式将所述指令发送至所述第一伪通道和或所述第二伪通道；所述组合数据缓冲器用于将所述第一伪通道和所述第二伪通道的数据进行交织。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯动微电子科技(珠海)有限公司 高带宽DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法

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