申请/专利权人：湖北大学

申请日：2023-11-14

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117637909A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/032;H01L31/09;H01L21/02;C23C16/30;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器及其制备方法，涉及光电子材料技术领域，本发明采用化学气相沉积的方法在云母片上沉积SnS纳米片；采用湿法转移的方法，将沉积的SnS纳米片从云母片上转移到SiO2Si衬底上；然后刻蚀四电极图案，再用高真空复合沉积系统蒸镀Ti层和Au层，获得基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器。本发明的光电探测器在常温300K下就可以以对可见光532nm激发响应，Zigzag方向光电流达到920nAμm，响应度可达255AW，Armchair方向光电流达到586nAμm，响应度可达155AW。

主权项：1.一种基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤1，采用化学气相沉积的方法在云母片上沉积SnS纳米片；步骤2，采用湿法转移的方法，将步骤1上沉积的SnS纳米片从云母片上转移到SiO2Si衬底上；步骤3，刻蚀在步骤2的样品上四电极图案，再用高真空复合沉积系统蒸镀Ti层和Au层，获得光电探测器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北大学 一种基于SnS纳米片的常温可见光和近红外光光电探测器及其制备方法

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