申请/专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;中国科学院大学

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117626187A

主分类号：C23C14/24

分类号：C23C14/24;C23C14/08;C23C14/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要：本发明公开了一种利用RPD以铟锡合金作为源反应沉积低成本ITO薄膜的方法，将金属铟与锡放入RPD设备的坩埚中，用机械泵及分子泵将RPD腔体抽至背底真空，之后通过流量计通入氩气，并开始调节压力，调整RPD腔体内压力到稳定状态；调整电源电流并启动电源，当观察到成功启辉且辉光稳定后，通入氧气，打开挡板开始镀膜，所得即为ITO薄膜。本发明使用RPD这种设备相比磁控溅射等制备方法具有显著的成本优势，作为蒸发源的铟金属与锡金属相对于陶瓷靶材ITO具有材料价格较低的优点，本申请使用金属靶材成本约为陶瓷靶材的三分之一，相比陶瓷靶材具有价格优势。本发明中被离化的金属离子氧化成为金属氧化物，并最终在衬底上形成透光性好、电导率高的TCO薄膜。

主权项：1.一种利用RPD以铟锡合金作为源反应沉积低成本ITO薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：将金属铟与锡放入RPD设备的坩埚中，用机械泵及分子泵将RPD腔体抽至背底真空，之后通过流量计通入氩气，并开始调节压力，调整RPD腔体内压力到稳定状态；RPD腔体内压力调节完成后，调整电源电流并启动电源，当观察到成功启辉且辉光稳定后，通入氧气，打开挡板开始镀膜，所得即为ITO薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;中国科学院大学 一种利用RPD以铟锡合金作为源反应沉积低成本ITO薄膜的方法

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