申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2023-08-22

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117639743A

主分类号：H03K17/081

分类号：H03K17/081;H03K17/687

优先权：["20220823 US 17/821,615"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.01#公开

摘要：本公开的一个或多个实施例涉及具有更高的ESD鲁棒性的基于MOSFET的RF开关。一种RF开关器件包括：晶体管，串联耦合以形成RF导电电流路径；第一阻性偏置网络，在该多个晶体管的栅极节点之间形成DC导电偏置路径；以及第一ESD偏置部件，耦合在该RF导电电流路径和该第一阻性偏置网络之间，其中该第一ESD偏置部件在ESD事件期间提供DC导电路径，该DC导电路径在该RF开关器件的该RF导电电流路径和该第一阻性偏置网络之间。

主权项：1.一种RF开关器件，包括：多个晶体管，串联耦合以形成RF导电电流路径；第一阻性偏置网络，在所述多个晶体管的栅极节点之间形成DC导电偏置路径；以及第一ESD偏置部件，耦合在所述RF导电电流路径和所述第一阻性偏置网络之间，其中所述第一ESD偏置部件被配置为在ESD事件期间提供DC导电路径，所述DC导电路径在所述RF开关器件的所述RF导电电流路径和所述第一阻性偏置网络之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有更高的ESD鲁棒性的基于MOSFET的RF开关

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