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【发明公布】一种掩埋型反射式全介质衍射光栅及其制备方法_中国工程物理研究院激光聚变研究中心_202311832167.X 

申请/专利权人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心

申请日:2023-12-28

公开(公告)日:2024-03-01

公开(公告)号:CN117631110A

主分类号:G02B5/18

分类号:G02B5/18

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要:本发明公开了一种掩埋型反射式全介质衍射光栅及其制备方法,涉及光学领域。所述光栅从下至上包括光栅基底、反射膜、相位匹配层、低折射率材料光栅层、高折射率材料填充层以及光栅保护层。本发明提供的光栅结构针对TE模式和TM模式在利特罗角入射条件下在1040~1080nm带宽范围内的‑1级衍射效率高于99.5%,最高衍射效率超过99.9%;此光栅制备流程包括先制备低折射率材料光栅结构,再填充高折射率材料,最后覆盖光栅保护层,以得到平整的光栅表面。本发明可提升光栅在震动、高低温等复杂工作环境条件下的稳定性,并且利于光栅污染后的清洗维护,在激光领域中具有重要的应用前景。

主权项:1.一种掩埋型反射式全介质衍射光栅,包括光栅基底1,在光栅基底1上依次镀制有反射膜2、光栅功能层3和光栅保护层4;所述光栅功能层3包括相位匹配层3-1、低折射率材料光栅层3-2和高折射率材料填充层3-3,且低折射率材料光栅层3-2被刻蚀成光栅槽型结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种掩埋型反射式全介质衍射光栅及其制备方法

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